手术室器械的正确清洗方法与消毒流程是什么？ 手术器械的清洗流程（一）一般手术器械的处理一般手术器械是指非感染的手术器械，如甲状腺、疝气、椎间盘等手术器械。处理方法：将术后器械的流动水下去除血污→酶浸泡2min。
半导体外延生长有哪些方式？ 外延(Epitaxy，简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si 或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。本文仅介绍广泛应用于半导体集成电路生产中衬底为硅材料的硅(Si)和锗硅(SiGe)外延工艺。根据生长方法可以将外延工艺分为两大类(表1)：全外延(Blanket Epi)和选择性外延(Selective Epi，简称SEG)。工艺气体中常用三种含硅气体源：硅烷(SiH4)，二氯硅烷(SiH2Cl2，简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl3，简称TCS)；某些特殊外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3)；选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢(HCl)，反应中的载气一般选用氢气(H2)。外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位(in-situ)刻蚀的相对速率大小来实现，所用气体一般为含氯(Cl)的硅源气体DCS，利用反应中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物来实现外延生长的选择性；由于SiH4不含Cl原子而且活化能低，一般仅应用于低温全外延工艺；而另外一种常用硅源TCS蒸气压低，在常温下呈液态，需要通过H2鼓。
液体介质的击穿（变压器油）一、小桥击穿理论杂质、气泡在电场作用下，在电极之间形成小桥，击穿沿着小桥发生。二、影响变压器油绝缘性能的因素影响变压器油绝缘性能的除了。
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中.
石墨烯是什么？一般用于什么？
机械绘图的技术要求一般都写什么？各位师傅 机械绘图的技术要求一般都写什么？请说说 机械图纸技术要求大全 1.零件去除氧化皮。2.零件加工表面上，不应有划痕、擦伤等损伤。
铝会生锈吗？ www.taobao.com 毛巾架是太空铝好还是不锈钢好，春季家装节，好礼不断，天猫送。毛巾架不锈钢 毛巾架是太空铝好还是不锈钢好，天猫带你全程感受优质服务，豪礼狂送，让家装也可 。
线粒体的成分是什么 线粒体由两层膜包被，外膜平滑，内膜向内折叠形成嵴，两层膜之间有腔，线粒体中央是基质。基质内含 有与三羧酸循环所需的全部酶类，内膜上具有呼吸链酶系及ATP酶复合体。线粒体。
二硫化钼是做什么用的？ 1、二硫化钼是重要的固体润滑剂，特别适用于高温高压下。2、二硫化钼有抗磁性，可用作线性光电导体和显示P型或N型导电性能的半导体，具有整流和换能的作用。3、二硫化钼可用作复杂烃类脱氢的催化剂。4、二硫化钼用于摩擦材料主要功能是低温时减摩，高温时增摩，烧失量小，在摩擦材料中易挥发。5、防氧化：二硫化钼是经过化学提纯综合反应而得，其PH值为7-8，略显碱性。它覆盖在摩擦材料的表面，能保护其它材料，防止它们被氧化，尤其是使其他材料不易脱落，贴附力增强。6、二硫化钼可以成为制作晶体管的新型材料。相较于同属二维材料的石墨烯，二硫化钼拥有1.8eV的能带隙，而石墨烯则不存在能带隙。
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不。
