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igbt 自举电路 关于IPM的自举充电电路

2020-10-07知识9

求IR2130驱动芯片特点及其在电机驱动中的应用? 摘要:本文介绍IR2130集成芯片的特点和工作原理,并应用该芯片作为三相混合式步进电机三相半桥的逆变驱动,经实验表明IR2130驱动的逆变桥电路简单、工作稳定。。

求高效逆变电源设计?? 摘要:本文简述了PWM控制芯片SG和高压驱动器IR2110的性能和结构特点,同时详细介绍了采用以SG为核心器件的高频逆变电源设计。关键词:PWM;SG;IR2110;。

如何设计一个IGBT或者MOSFET驱动?有哪些步骤,需要注意哪些方面? 之前没有自己设计过IGBT和MOSFET的驱动,但是拿到师兄们的驱动设计,在实际中总会遇到很多问题,比如电磁…

自举电路是如何“顶”电压的?这个问题,我的总结是主要有下面2个要点:电容具有存储电荷的能力,即电容两端电压不能突变;电容的一个电极对参考地之间的电压可以突变;下图是一种典型的自举电路图,二极管D1称自举二极管,电容C1称自举电容,电阻R1为限流电阻。开关K1在这里只是为了说明简单,实际使用时一般为电子开关管,如IGBT,MOSFET,三极管等,且会比这复杂。该电路的工作原理说明如下:1)开始时开关与参考地之间接通,电源V1通过D1、R1对电容C1充电至电压约等于V1。2)开关与参考地之间断开后马上与电源V2接通,此时电容与开关相连的电极电压由0V变成V2。由于电容电压不能马上突变,此时电容另一极的电压同时由V1变成V1+V2。这时该电压的电位比电源V1还大,二极管的作用就是防止电压反灌到电源。下图是二极管阴极对参考地的电压波形。以上过程就是自举电路的一个工作周期。作一个简单的比喻就是,自举好像是有一盆水先放在地面上,然后被人端了起来,这时这盆水的水面离地距离变大了,但还是那盆水。这就是顶起电压的过程,不知是否讲清了原理?如有疑问,欢迎交流。

IR2153芯片工作原理是什么? IR2153 是一种高压、高速、带有高低端驱 动的半桥驱动器.该器件前级可调振荡器的功 能与大家熟知的555 时基电路相似.驱动器的 输出带有缓冲单元,可设定内部死区时间,防止 桥路中的两只功率开关管直通.高、低端管子 具有延时匹配,适用于占空比为50%的场合,该器件可驱动N 沟道功率MOSFET 或IGBT.IR2153 具有以下特点:●带自举二极管的浮动设计,最大耐压为 600V;允许瞬时负压;欠压保护;内部振荡器频率可调整;高、低通道匹配的死区时间;起动电流很小,仅为90μA;高、低通道的关断功能;低通道输出电压波形与RT 端电压波形相同.

Ir2113驱动Ic的工作原理?各管脚及作用越详细越好?

igbt自举驱动是什么意思?可以不要驱动模块就能驱动?请大神指教下 我也是现学现卖的。驱动是省不了的,只是驱动设计可以简化。原理是在igbt的门极和射极之间引入自举电容和自举二极管,这个电容会在igbt关断期间预先充电,这样当驱动信号来临时,可以迅速打开igbt。自居电容和二极管要根据控制脉冲的宽度来设计。不能太大太小。

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