半导体公式 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：虾米梦_第1章：第二章：第3章：共基极直流电流放大系数为集电极电流与发射极电流之比基极运输系数发射结注入效率发射结复合系数，均匀：为共发射极直流电流放大系数为基区渡越时间，为基区少数载流子的寿命，为中性基区宽度，分别为发射区和基区杂质浓度。和分别为发射区和基区的电阻率，和分别为发射区和基区的方块电阻为基区少数载流子浓度缓变：基区自建电场为梯度因子第4章：结型场效应晶体管：夹断电压：，夹断时所需要加的栅源电压Vp=Vbi-VP0。Vbi为结的接触电势差。Vbi=沟道电导：G0=2qμn（a-x0）Z/L即：VDS=VDsat称为饱和漏源电压VDsat=VP0-（Vbi-VGS）绝缘栅场效应晶体管MOS结构：零偏导条件下：φms=φm-φs=φm-（X-Eg/2q+φf）=0φm为金属功函数φs为半导体功函数X为半导体的电子亲和势费米势φf=（Es-EFs）/qP型φf>；0；N型φf电荷面密度Qs=εε0Es耗尽区宽度达到最大值氧化层压降Vox=-Qs/CoxCox=εox/toxεox=εrε0Cox为氧化层单位面积电容εox为栅氧化层介电常量tox为氧化层厚度强反型时的表面势力φsi2=2φfp1.理想MOSFET的阈值电压：n沟道阈值电压Qd=-qNAXdmax2.金属半导体功函数差对VT的影响3.氧化层及界面。
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式？ α＝Ec／Ey＋〔（Ec／Ey）2＋1〕1／2为修正因子，Ecrit＝αEc为修正后的速度饱和临界电场，Ey＝Vds／L为Y方向电场。
氧化层的厚度是怎样影响等效电容的 氧化层相当于绝缘2113介质，一般C=K*Area/d。可表示介电5261常数，4102Area表示上下极板1653重叠面积，d表示上下极板距离。k由绝缘物质决定，d可以看作氧化层厚度，氧化层越厚，电容越小。氧化层越厚，上下极板耐压越大，所以要折中考虑容值和耐压，来决定使用什么的厚度。
