半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning 是什么意思？ RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液：（1）SPM：H2SO4/H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。（2）HF(DHF)：HF(DHF)20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。（3）APM(SC-1）：NH4OH/H2O2/H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。（4）HPM(SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 。
硅片RCA清洗工艺中，氟化氢HF的氢钝化机理 线切割损伤层厚度可达10微米左右。一般采用20%的碱溶液在90℃条件腐蚀0.5～1min以达到去除损伤层的效果，此时的腐蚀速率可达到6～10um/min。初抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减短，以防硅片被腐蚀过薄。对于NaOH浓度高于20%W/V的情况，腐蚀速度主要取决于溶液的温度，而与碱溶液实际浓度关系不大。HF去除硅片表面氧化层：
氧化铝薄膜在硅片上一般呈什么颜色 若实验未开始，在蒸镀的时候，遮上一块硅片，根据探针测试法就可以知道二氧化硅薄膜厚度了。如果已蒸镀，可用氢氟酸和氟化氨溶液将二氧化硅腐蚀，不一定要劈尖状，因为量一下腐蚀彻底的边缘硅片厚度，再与硅片上二氧化硅薄膜完整的区域的厚度，一比较，就可知道薄膜厚度。取一片长有氧化层的硅片，在其表面涂一小点黑胶，将此硅片置于丝网上在酒精灯上加热，使黑胶融化覆盖在硅片的一小区域。然后，将硅片浸入HF腐蚀液中，腐蚀去除黑胶未覆盖区域的二氧化硅层。
如何清洗硅片
清洗硅片的顺序 太阳能硅片表面等离子体清洗工艺硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。等离子硅片清洗条件参数：1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室。
