IPM模块驱动电源可以通过哪几种方式获得，各有什么优点？自举电容取决于哪些因素？ IPM的几个地方需要供电，首先要看IPM需不需要隔离。如果采用隔离方式的话。还需要增加一个整形电路，这块电路一块采用专用芯片或高速74系列芯片。这个需要提供一个5V的供电。
全桥电路中，什么是高压侧桥臂什么是低压侧桥臂，为什么驱动上管和下管的驱动电压不一样？分别是什么？ 因为上臂管的驱动与下臂管不共地。以MOS为例，它要求G-S上有8－15V的电压才导通。如果是下臂，与驱动信号是共地的，很容易实现G-S上有电压。但是上臂的情况不一样了，它的地与下臂是串着的，只有在下臂导通时，才“共地”了。而在下臂截止时，是悬浮的，G-S根本通不了电。加了自举电容后，相当于下臂导通时，给上臂的G-S给个电源，它与主电路是不共地的，（下臂一截止就断开）是独立的电压，与驱动芯片配合就能产有规律的导通与截止（PWM或者SPWM）。简单地说，自举电容是给上臂管供电的。所以，自举电容正极要串个二极管（而且要视频率看用高速管或者普通二极管）且电压要高于母线电压，以隔断与主电源的辅助供电电位。如果还有不明白请发问
如何在高压上桥臂电流检测中发挥低压高精度运放的性能 因为上臂管的驱动与下臂管不共地。以MOS为例，它要求G-S上有8－15V的电压才导通。如果是下臂，与驱动信号是共地的，很容易实现G-S上有电压。但是上臂的情况不一样了，它的地与下臂是串着的，只有在下臂导通时，才“共地”了。而在下臂截止时，是悬浮的，G-S根本通不了电。加了自举电容后，相当于下臂导通时，给上臂的G-S给个电源，它与主电路是不共地的，（下臂一截止就断开）是独立的电压，与驱动芯片配合就能产有规律的导通与截止（PWM或者SPWM）。简单地说，自举电容是给上臂管供电的。所以，自举电容正极要串个二极管（而且要视频率看用高速管或者普通二极管）且电压要高于母线电压，以隔断与主电源的辅助供电电位。
IR2110的自举电路是什么作用，不自举可以吗，直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
igbt上桥臂驱动需要自举电压吗
自举升压电路的原理是这样的？
