半导体超晶格有哪些类型，及其能带结构的特点 超晶格材料按形成它的异质结类型分为第一类、第二类和第三类超晶格。第一二三类超晶格第一类超晶格的导带和价带由同一层的半导体材料形成。第二类超晶格的导带和价带在不同层中形成，因此电子和空穴被束缚在不同半zd导体材料层中。第三类超晶格涉及半金属材料。尽管导带底和价带顶在相同的半导体层中产生，与第一类超晶格相似，但其带隙可从半导体到零带隙到半金属负带隙之间连续调整。[1]超晶格又分以下几种1.组分超晶格：在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄内膜堆垛而成的 叫做组分超晶格2.掺杂超晶格：在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法做成的新型人造周期性半导体结构的材料掺杂超晶格的优点：任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般比较小，杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面；掺杂超晶格的有效能量隙可以具有从零到容位调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于各分层厚度和掺杂浓度的选择。3.多维超晶格4.应变超晶格
原子结构、晶格能 MgO>；CaO>；KCl>；NaCl 通常，离子型化合物的晶格能愈大，其熔点愈高。影响晶格能的主要原因是离子的半径和电荷。Mg2+和O2-半径小，电荷数多，晶格能最大，故熔点最高。。
什么叫超晶格，超晶格和光子晶体有和区别和联系？
离子的电子层结构如何影响晶格能？求详解 金属离子的电离能和非金属离子的电子亲和能对晶格能都有影响。屏蔽作用越大，有效核电荷数越少，电离能越低，晶格能越小。加入电子后电子亲和能比电子成对（或互斥）能越大，放热越多，晶格能越小。
晶格能与键能有什么区别？ 晶格能小于键能.原因如下：晶格能是分子或者原子在形成晶体的时候分子与分子或者原子与原子之间的静电引力和分子间的空间构形引起的.而键能则是原子或者原子团之间电子对偏移或者得失形成的强烈的能量联系（静电引力不是很准确）.
一般地，晶体类型不同，其结构和性质也不同．
