请教各位高手：驱动场效应管为什么要自举升压 看你怎么使用管子，S极输出而G不能提供高于S极电压时就需要自举升压控制，S接地，G极输出时就不需要自举电路了。还有管子在不完全导通的状态下是最容易发热的。
在电路中，耦合是什么意思？
在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断，采用IRF3810mos管 对于场zhidao效应管的输入阻抗来说，光耦关断时的漏电流足以使它导通，你应该在场效应管的控制极接一只下偏置电阻才行，因为光耦不管是导通专还是截止对场效应管来说都是导通状态，在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了，取值以光耦导通属时的分压足以使场效应管导通，关断时又可以将电压置于接近零为准，哦，R10和R15取值太小了，光耦会烧断的，可以将阻值增大一千倍
谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路，毕业设计要用到 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路，产生驱动mosfet所需要的波形，紧接着的是两个光耦，一般用于隔离控制部分和驱动部分，因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高，通常的数字逻辑电路电压在5V以内，而mosfet驱动部分基本都在10V以上（一般mosfet的开启电压需要在10V以上才能完全导通，完全导通时导通电阻低，导通损耗就小）然后是去耦电路部分。接下来是两输出mosfet/IGBT专用驱动芯片IR2110S，其中电容C23是根据IR2110S的Datasheet需要接的。R40/R41是mosfet栅极驱动电阻，用于调节栅极导通关断时间，减小mosfet被噪声击穿的可能。C26、D14是自举升压电路，用于驱动高压侧mosfet。C27是去耦电容，这个0.01uf应该是给比较高的频率用的，一般的电路0.1uf就够了，推荐瓷片或钽电容，因为电感小。
请问下MOS高边驱动时一定要加自举电容吗？ 主要看Vgs电压，要是高侧MOS的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路，自举电路只是在单电源供电时，高侧Vgs打不到控制要求而做的，当使用隔离电源控制就不需要自举。
