ZKX's LAB

损失角正切值定义 介质损耗因数的介质损耗正切值tgδ

2020-07-20知识17

电容的损失角是什么意思?比如一个电容2200uF16V ,用仪器测量容量2232uF,损失角(D) 由于电容器损耗的存在,使加在电容器的电压与电流之间的夹角(相位角)不是理想的90度,而是偏离了一个δ度,这个δ角就称为电容器的损耗角。习惯上以损耗角正切值表示电容器的损耗,实际就是电容器消耗的无功功率,于是也可以这样定义:电容器的损耗也指电容器在电场作用下,消耗的无功功率与消耗的总功率的比值其表示式为:电容器损耗角正切值=无功功率÷总功率或电容器损耗角正切值=无功功率×100÷总功率(得出的值为百分比)损耗角的介质损耗角 又称介质损耗因素,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因素的定义如下:如果取得试品的电流相量 和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因素。测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时,也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。功率因素是功率因素角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因素的定义如下:S=根号下(P平方+Q平方)有的介损测试仪习惯显示功率因素(PF:cosΦ),而不是介质损耗因素(DF:tgδ)。一般cosΦδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准。介质损耗因数的介质损耗正切值tgδ 又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量,则可以得到如下相量图:总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此:这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时,也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ,通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压。电解电容中的损耗指什么 理想的电容应该是没有损耗的,也就是充多少电放多少电!现实的电容是耗能发热的,也就是有损耗。电容损耗包括:介质损耗,金属部分损耗。介质损耗是介质在电场下的极化过程使分子间碰撞而消耗的能量,从而产生损耗,在实际中,等效电阻是造成电容损耗的主要原因,介质损耗通常被忽略!通常用损耗角正切值(损耗因数)来表示,有功损耗与无功损耗之比即为损耗因数tgδ,或以串联等效电阻ESR同容抗1/WC之比。电解电容与其他电容一样的!只是损耗正切通常在百分之几的数量级,金膜电容在万分之几的数量级!什么是电容器损耗角正切值? 损耗角正切值是电容电损耗的比例,如果对一个电容加上一个电压,除了对电容充电的电流外还有漏掉的电流(电容的漏电流),漏电流被消耗成了热能,因此表示为电阻上的电流。漏电流与纯电容的充电电流之比就是电容损耗角正切值(理论上纯粹的电容是不耗电功率的),这个值越小,电容的性能越好。电容的DF值的具体定义什么? 电容的DF值的定义是介质损失因数(tan δ)或称介质(损耗角)正切。理想的 电容器 其充放电,是以电荷的移动速度(接近光的速度)快速的进行着,但是实际上,电容器有所谓的介质。利用损耗角正切值可以判断一材料为导体或电介质吗? 电介质损耗(dielectric losses):电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。这些热会使电介质升温并可能引起热击穿,因此,在电绝缘技术中,特别是当绝缘材料用于高。介质损耗正切角是什么? 介质损耗正切角:表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小。δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。介质损耗正切角是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数,为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。扩展资料:原理:材料介电性能主要用介电常数ε和介电损耗角正切tanδ来表征,其中介电常数是综合反映电介质极化行为的宏观物理量。介电损耗角正切表征每个周期内介质损耗的能量与其贮存能量之比。作用:在实际工程应用中,介质损耗通常都是用介质损耗角的正切tanδ来表示的。用tanδ值来研究电介质损耗具有以下两个明显的优点:(1)tanδ值可以和介电常数ε同时测量得到;(2)tanδ值与测量样品的大小和形状都无关,是电介质自身的属性,并且在许多情况下,tanδ值比ε值对介质特性的改变敏感的多。参考资料来源:—介质损耗利用损耗角正切值可以判断一材料为导体或电介质吗? 电介质损耗(dielectric losses):电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量。这些热会使电介质升温并可能引起热击穿,因此,在电绝缘技术中,特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合,应尽量采用介质损耗因数(即电介质损耗角正切tgδ,它是电介质损耗与该电介质无功功率之比)较低的材料。但是,电介质损耗也可用作一种电加热手段,即利用高频电场(一般为0.3~300 兆赫)对电介质损耗大的材料(如木材、纸、陶瓷等)进行加热。这种加热由于热量产生在介质内部,比外部加热的加热速度快、热效率高,且加热均匀。频率高于 300兆赫时,达到微波波段,即为微波加热(家用微波炉即据此原理)。电介质损耗按其形成机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。前两者分别与电介质的弛豫极化和共振极化过程有关。对于弛豫损耗,当交变电场的频率 ω=1/τ时,介质损耗达到极大值,τ为组成电介质的极性分子和热离子的弛豫时间。对于共振损耗,当电场频率等于电介质振子固有频率(共振)时,损失能量最大。电导损耗则是由贯穿电介质的电导电流引起,属焦耳损耗,与电场频率无关。介损的参数介绍 1、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。简称介损角。2、介质损耗正切值tanδ又称介质损耗因数,是指。

#陶瓷电容器#损耗角正切#介质损耗#正切

qrcode
访问手机版