什么是雪崩增益效应 半导体雪崩光电二极管 具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。。
能够击穿空气的电压要多少伏？
PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系 第一问：对于来N型半导体，自由电子是多数载流子（多子）—杂质原子提供，空穴是少数载流子（少子）—热激发形成；而P型半导体，空穴是多子—掺杂形成，自由电子是少子—热激发形成。多子的数量与掺杂浓度有关，高掺杂则多子数量多。P型半导体和N型半导体中间的空间电荷区就是PN结，因为其缺少多子又自称耗尽层。高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区理论上加宽，但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也百剧烈，空间电荷区又要变薄，最终要达到动态平衡，所以相比低掺杂时达到动态平衡所需时间更短，载流子运动距离短，电子和空穴很快就复合了，耗尽层也就窄度了。“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板电容器，内电场E=U/d，所以E很强，直问接打断共价键。第二问：齐纳击穿，掺杂浓度高，内电场强，利用这一性质做成了稳压管；雪崩击穿，掺杂浓度低，碰撞电离，就像滚雪球的倍增效应，利用这一性质做成了整流答二极管。两者都属于电击穿，一定条件下是可逆的。
为什么光会有衰减？ 对于一道光束而言，光束的能量E=nhν，其中n是光子数量，相当于光强度；h是普郎克常量，ν是光频率。当光照到一个物体上的时候，是分很多中情况的，有光电效应、康普顿效应、电子对效应、光共振、光致核反应、维恩散射等等…其中，像光电效应这样的作用，光子直接把能量全部传递给介质原子核外电子，电子激发或电离，自身消失。这种情况，相当于是减少了n，光子数目减少了，光束的能量自然就减少了！而还有像康普顿效应一类的散射碰撞，光子把一部分能量传递给了核外电子，自身损失一部分能量后散射而出，频率降低，这种情况就是降低了ν。对于单能窄束光(即一条光“线”)的衰减，其衰减公式I=(Io)e^(-μd)，其中I是穿过了介质之后的光强度，Io是在没有经过介质前光的强度；e是自然对数的底数，e=2.718281828459…；μ是光子的线性衰减系数，d是介质厚度。对于宽束光(光面，很多条平行光)，则衰减过程得考虑积累效应，就是光子散射的干扰，所以衰减公式要加入积累因子B，即I=B(Io)e^(-μd)。
求气体放电方面相关资料，原理、现象、形式、影响因素及伴随的效应等。 干燥气体通常是良好的绝缘体，但当气体中存在自由带电粒子时，它就变为电的导体。这时如在气体中安置两个电极并加上电压，气体在强电场作用下，少量初始带电粒子与气体原子。
