使用STM32F03对NAND Flash进行读写，只有在写入特定的数据时才会导致读出数据的错误，求大神指点…… 数据线需要上拉
烧录NAND Flash程序时校验为什么提示出错？
为什么同一批的NAND Flash中，有一些烧录就提示出错，有的就可以？ 这个和你的方案设计有关系，也和NAND Flash本身的特性有关系，比如你在某些芯片的块设置了不允许坏块的规则，而这个芯片刚好在那个位置上有坏块，这样就出现了一烧录就提示出错的情况；SmartPRO 6000F-PLUS设置如图：这种设置就会出现你说的那种情况，所以，先和做这个NAND Flash烧录的软件工程师沟通好，就可以找到原因了。
读nand flash只能读出一页是怎么回事 NAND一页的数据地址是自动增加的，下一页的时候需要再重新写入地址，然后在读取一页的数据，如此反复。
读nand flash地址格式不同 开机怎么读 开机是机器自动读的！只要你把OM[0：1]设成nandflash启动就行了！系统自动读出4K到内部sram。
反复读NAND FLASH会造成坏块吗 最近做实验刚刚碰到了这个问题，用的是spi nand flash。擦写一次某block，读了几百到几千次同一个block后，会发生概率性bit flip，且错误会随读的次数慢慢累积。看了好多发生错误的位置，都是1被读回来0。猜测原因是浮栅上电荷有一部分漏掉，达到了一个不定态的点，使得灵敏放大器每次读回来的值不一样。同时还发现了一个规律，就是出错的page都是0x.8这样结尾的page，可能与flash里面memory array的layout有关（靠近芯片边缘的浮栅更容易发生丢失）。以上只是实验中遇到的一部分现象和猜测，仅供参考
关于nand flash坏块疑问 坏块的话写进去的东西肯定是不对的。一般情况下如果你手上的系统支持NAND运行，那么相关的读取数据代码中肯定有跳坏块处理的，你可以仔细看下你手上的代码
关于NOR flash和NAND flash的问题 U盘的是NAND.因为nand flash存储比较大，写入速度和清除速度都比nor快，所以经常用在U盘和智能手机中充当硬盘的角色（eMMC），内存就是DRAM了。nor flash的优势是读的速度非常快，而且非易失，所以常用来像手机开机工作，跟PC的CMOS一样（可以存储关键程序代码），怎么说呢，nor的优势和劣势一样明显，优势是读取速度，少量储存能力使它跟RAM一样，用在一些嵌入领域比如汽车控制这些不需要大容量储存的电子产品还是很有前途的哈。未来应该是NAND的天下。
如何实现nand flash的读，写，擦除操作 （1）写命令子函数 void Write_Command(unsigned charCom){ FLASH_CLE=1；FLASH_ALE=0；FLASH_WE=0；XBYTE[XP]=Com；FLASH_WE=1；}（2）写地址子函数 void Write_Address。
反复读NAND FLASH会造成坏块吗 一般应用NAND FLASH时都会同时使用ECC纠错，无论是硬件纠错还是软件实现。在有ECC的情况下如果写入一个Page失败是可以将其读出以判断出现的错误是否可以被ECC校验纠正。若可以被ECC纠正则可以考虑仍将该页所在块视为有效块。若是出现页写入错误.
