关于普通运放驱动MOS管实现高压输出的问题
如何用LM324控制MOS管来进行恒流 这里有两种思路，一种认为线性调整，一种改为斩波调整。自己看看相关书籍，很快就会。不难的。吃别人的，没意思。斩波调整的效率很高，大电流调整时被广泛采用，但电路相对。
下图中的集成运放和MOS管（F9Z24N）的工作原理 假设没有三极管，并将下面运放的6、7相连，就是一个运放跟随器，电压放大倍数=1，运放7的输出等于输入端5的电压。因为运放的两个重要特征：1）开环电压放大倍数非常大，10。
分析一下我这个运放输出端接mos管电路中运放和mos管的工作 假设没有三极管，并将下面运放的6、7相连，就是一个运放跟随器，电压放大倍数=1，运放7的输出等于输入端5的电压。因为运放的两个zd重要特征：1）开环电压放大倍数非常大，10的n次方；2)运放的输入端内阻很大，所以输入端电流很小。组成负反馈电路后，要考虑到以上两个重要特征。内mos管的源级电压等于pin5的电压。但送到电阻上的电流可以比较大，这有mos管的能力决定。这个电流也就是mos管的漏极输出电流。而且这个电流是个恒流。例如输出需要100mA电流，运放pin的输入电压是2V，那么电阻取20欧姆就可以实现了。在图中JUMP位置的跳线可以接任何负载，或短路，电流恒定在100mA。至于运放输出端的电压，会有运放自动调整，以保证从容电阻上反馈到运放pin6的电压和pin5的电压相等。当然pin7的电压也是可以计算的，要看运放的电压电流特性曲线。一般mos管的栅极要比源级高6~12V。这个电压必须在你运放输出电压的可输出范围内。
如何判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区？换句话说判断他们的工作条件是什么 判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。以结型N沟道场效应管为例：1、输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。2、介于可变电阻区和恒流区之间的那条橙色曲线是预夹断轨迹，它是各条曲线上使uDS=uGS？uGS(off)的点连接而成的，预夹断轨迹满足方程：uDS=uGS？uGS(off)。可变电阻区就应该满足uDS？uGS(off)。恒流区就应该满足：uDS>；uGS？uGS(off)。而截止区就是满足uGS(off)扩展资料：mos管工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用mos管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。
运放和MOS管构成的数控恒流电路中，MOS管是工作在开关状态吗 恒流电路，用MOSFET，电压控制电流器件，显然会用在恒流区，不能叫开关状态吧；用BJT，电流控制电流器件，显然要用到放大区。
运放+mos恒流源选什么样的mosfet可以在恒流状态使Vds尽量小 Vds，管压降，选用导通电阻最小就可以了，现在都可以做到0.几欧姆以下的了，可以忽略的，就是散热问题
恒流源电路 运放 +mos 正负输出的恒流源电路完全可以实现。见图，电流大小可调整R1、R2、W1。
单个mos管能否作为一个理想运放 当然不能，一个MOS管只有一个输入，运放都是两个的，就这一点就不能满足了
