近日，有消息称，台积电在2纳米先进制程研发上取得重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。
利用成熟的特色工艺追求更先进的制程，一直是台积电和三星等芯片厂商致力的方向。此前，三星表示将在3纳米率先导入GAA技术，表达了其取得全球芯片代工龙头地位的野心。此次台积电在2纳米制程研发上取得重大突破，凸显了其强大的研发实力，也让两大芯片代工巨头的竞争加剧。
由于台积电3纳米工艺预定在2021年量产，其2纳米的推出可能位于2023到2024年之间。2纳米制程的率先推出，定然会进一步扩大台积电在先进制程市场份额的占比，甚至可能会拉开与三星和英特尔的差距。当然，三星和英特尔也在积极推进研发。工艺技术的研发充满变数，未来谁能最终领先还需进一步观察。
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