存储器扩展实验
闪存卡的存储原理是什么 要讲解闪存卡的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅。
半导体存储器的结构主要包括哪三个部分
某加法器采用组内并行，组间并行的进位链，4位一组，写出进位信号C6逻辑表达式？ 在掌握了各种运算规则的基础上，就应学习掌握运算器的硬件实现问题，即定点运算器的组成与结构.在这节里首先要了解一位全加器和进位链的概念，明确它们是构成加法器的必要的两个硬件环节，而加法器的进位链是重点掌握的问题.因此要深刻理解下列不同进位链的加法器的数学表描和逻辑实现.(1)串行进位的并行加法器；(2)并行进位的并行加法器；在(2)中又分为：(1)组内并行，组间串行的进位链(2)组内并行，组间并行的进位链它们的目的就是要进位信号的产生尽可能的快，因此产生了二重进位链或更高重进位链，显然进位速度的提高是以硬件设计的复杂化为代价来实现的.关于进位链的实现原理和方法是本章的一个重点，要深刻理解加法器是如何提高进位速度.在理解了进位链的实现之后，就可用74181和74182实现不同位数的多重进位方式的ALU.书中还提供了两个简单应用实例，分别是小型计算机的运算器和AM2901位片式运算器，在研读它们时，应综合我们已掌握的硬件知识；首先应了解它们各自具有的功能，运算器内部各逻辑结构的含义，数据在运算过程中的流向，如何用加法器来实现加，减，乘，除等运算.在这里要认识一个新的概念，即CPU发出的控制命令I0～I8等是用来控制ALU完成各种运算的控制信号，它们的。
半导体存储器有几类，分别有什么特点？ 1、随机e68a84e8a2ade79fa5e9819331333431363663存储器对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。2、只读存储器用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”，断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时，就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。3、串行存储器它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取。
五、画出MOS六管静态和动态存储单元的电路原理图，并简述信息写入、读出的工作过程。 写“1”：在I/O线上输入高电位，在I/O线上输入高电位，把高、低电位分别加在A，B点，使来T1管截止，T2管导通，至此“1”写入存储元。自写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，把低、高电位分别zhidao加在A，B点，使T1管导通，T2管截止，至此“0”写入存储元。
