四氯化硅水蒸气和氨气反应制的氮化硅的方程式？ 3SiCl4+4NH3=Si3N4+12HCl 产生的HCl会继续与NH3反应所以也可写作：3SiCl4+16NH3=Si3N4+12NH4Cl
制备氮化硅可将硅粉放在氮气中高温直接氮化制得，实验室制备氮化硅装置如图所示： （1）根据实验装置图a为加液装置为分液漏斗，b为反应装置为圆底烧瓶；故答案为：分液漏斗；圆底烧瓶；（2）在加热条件下NaNO2和（NH4）2SO4反应生成氮气、硫酸钠和水，其反应的离子方程式为：NO2-+NH4+△.N2↑+2H2O；故答案为：NO2-+NH4+△.N2↑+2H2O；（3）铵根离子在溶液中水解显酸性，则（NH4）2SO4水溶液呈酸性；浓硫酸具有吸水性，可作干燥剂，所以装置C的作用是干燥气体除去水蒸气；故答案为：酸；除去水蒸气；（4）在加热条件下，Si与氧气能反应生成二氧化硅，所以要先排净装置中的空气，所以先加热A制备氮气，把装置中的空气排净，然后再加热B制备氮化硅；故答案为：A；（5）氮化硅溶于氢氟酸溶液生成一种白色的胶状沉淀为硅酸，元素守恒确定另一种产物为NH4F，则反应的方程式为：Si3N4+4HF+9H2O=3H2SiO3↓+4NH4F；故答案为：Si3N4+4HF+9H2O=3H2SiO3↓+4NH4F．
（2013？河南二模）氮化硅（Si 硅与纯氮气反应的化学方程式为：3Si+2N2 1300℃？1400℃.Si3N4，故答案为：3Si+2N2 1300℃？1400℃.Si3N4；方法一所得到的产品中混有单质硅，而方法二除产品是固体，其他物质均为.
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料，具有优良性能． （1）N原子核外电子数为7，由能量最低原理可知核外电子排布式为1s22s22p3，2p能级3个电子分别占据1个轨道，单电子数目为3，同周期自左而右电负性增大，同主族自上而下电负性减小，故电负性N>；C>；Si，故答案为：1s22s22p3；3；N>；C>；Si；（2）碳热还原法制氮化硅是在氮气中用碳还SiO2，反应生成Si3N4、CO，化学方程式为：6C+2N2+3SiO2△.Si3N4+6CO，氮化硅一般不与酸反应，但能与氢氟酸反应，反应生成SiF4与NH4F，反应方程式为：Si3N4+16HF=3SiF4+4NH4F，故答案为：6C+2N2+3SiO2△.Si3N4+6CO；Si3N4+16HF=3SiF4+4NH4F；（3）三氯化硅烷（SiHCl3）分子中Si原子形成4个σ键，没有孤对电子，三氯硅烷分子的空间构型为四面体形，杂化轨道数目为4，Si原子采取sp3杂化，故答案为：四面体形；sp3杂化；（4）氮化硅、碳化硅晶体中原子之间形成共价键，键能大，键牢固，化学性质稳定，故答案为：晶体中原子之间形成共价键，键能大，键牢固；（5）碳化硅立方晶系晶胞中，体内Si原子与周围的4个C原子形成正四面体结构，C-Si-C键的夹角是109°28′；原子之间形成共价键，向空间延伸的立体网状结构，属于原子晶体；晶胞中Si原子数目为4、C原子数目为8×18+6×12=4，则晶胞质量为4×(28+12)。
氮化硅的制备 2.1.1 硅粉直接氮化法主要是指纯净硅粉在N2、N2+H2或NH3的还原性气氛中发生反应，生成氮化硅微粉[8-10].根据反应温度的差异，反应方程式如下：（2.1）此法在较低温度下得到的是α-Si3N4和β-Si3N4的混合物，高温下得到的只有β-Si3N4.该法对硅粉粒径的要求比较高，而且反应温度比较高，对反应设备的耐高温耐高压性能提出了要求.因此，硅粉直接氮化法质量的进一步提高主要取决于碾磨机性能的提高和单质硅性质的改善.而由此方法发展起来的自蔓延高温合成(Self-propagating High-temperature Synthesis，SHs)为硅粉直接氮化法开辟了一条新的思路.2.1.2 碳热还原法碳热还原法是指SiO2和C的粉末在高温下的N2气氛中发生氮化和还原反应，生成Si3N4微粉[11-13].反应方程式如下：（2.2）虽然目一前人们对此反应的机理还没有探索清楚，但可以确定的是反应中生成了SiO2并由SiO2参与气相反应.产物的组成主要受C/SiO2比、起始物料的结构特征(细颗粒，低的粒径分布和晶型)、反应气相的组成和反应温度的控制.可以通过控制CO气流量来达到控制产物生成的速率.这种方法的一个很大的优点就是利用了自然界中十分丰富的二氧化硅为原料，特别适宜于大规模生产氮化硅微粉，且反应产物经热处理后为疏松粉末，。
氮化硅和氢氟酸反应为什么不生成氢气和氮气？ 氢氟酸不能氧化氮但是可以发生非氧化还原反应Si3N4+16HF=4NH4F+3SiF4SiF4+2HF=H2SiF6(氟硅酸)
有谁知道四氯化硅SiCl4和氮气N2在氢气H2的保护下反应制取氮化硅的方程式 也可用化学气相沉积法，使SiCl4和N2在H2气氛保护下反应，产物Si3N4积在石墨基体上，形成一层致密的Si3N4层.此法得到的氮化硅纯度较高，其反应如下：SiCl4＋2N2＋6H2→Si3N4＋12HCl
