晶体管工作在放大状态的外部条件是_____ 三极管工作放大状态的条件2113是：发射结正偏，集5261电结反偏。4102放大原理1、发射1653区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
硅晶体管和锗晶体管工作处于放大状态时，其发射结电压Ube分别为多少 硅材料晶体管一般是0.6-0.7V，锗材料晶体管稍微小一点，一般是0.2-0.3V。
放大状态时，加在硅三极管发射结的正偏电压是多少？ 小功率硅材百料三极管发射结的导通电压一般为0.7伏，锗材料小度功率管一般为问0.3伏就可导通。小信号放大电路的硅材料管答偏置电压设置；发射极0.7伏；专基极1.5伏；集电极2.2—3伏保证电路可以工属作。别用手机提问。
NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与发射极电流的关系为（）。 A. B. 参考答案：C解析：PN结二极管的理想伏安特性为：式中Is-反向饱和电流；UT-热电压，也称为温度电压当量，UT=kT/q，UT与PN结的绝对温度T和波尔兹曼常数k成正比，与电子电量q。
硅晶体管和锗晶体管工作处于放大状态时，其发射结电压Ube分别为多少？ 硅晶管大，是Ube=0.7V，锗管小Ube=0.3V。
三极管放大状态的问题 三极管在放大状态时，是一个受控电流源，其等效电阻很大（理想的三极管应该为无穷大），两端电压在电源电压和Uces（饱和压降）之间摆动，具体由输入信号决定，无法计算.
