探究绝缘栅双极晶体管的原理及应用 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：龙源期刊网【摘要】绝缘栅双极晶体管（IGBT）是近十多年来为适应电力电子技术发展而出现的新型器件。是整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。它集高频率、高电压、大电流等优点于一身，是国际上公认的电力电子技术第三知次革命的最具代表性的产品。本文着重介绍它的结构、工作机理、静态特性、动态特性以及主要参数，为使用该类器件奠定基础IGBT是上世纪80年代初研制成功，并在其性能上，经过几年的不断提高和改进，以成熟的应用于道高频大功率领域。因此本文还介绍了IGBT国内外发展简况，将详细地说明了IGBT的重要特性及其应用基础技术，列出了在家用电器、电焊机、回电动机等方面应用的一些基本电路。【关键词】绝缘栅双极晶体管等效电路静态特性动态特性一、IGBT的结构和原理绝缘栅双极晶体管是一种新型的电力半导体器件，它既具有功率场效应晶体、管高速、高输入阻抗的特性，又具有双极达林顿晶体管饱和电压低、电流大、反压高的特性[2]。这种器件在1982年由答美国RCA与G E公司试制成功，后经美国IR公司、欧洲S G S公司和菲利浦公司、日本东芝、富士电机、日立公司等的改进，于IGBT
双极型晶体管的基本定义是什么？
双极晶体管的工作原理 NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。扩展资料双极型三极管不能直接代替MOS管，这是因为它们的控制特性不一MOS管是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。场效应管的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接代换场效应管的，原驱动MOS管的电路由于驱动电流太小，不e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333431366331。
双极晶体管的工作原理 双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.
简述双极型晶体管电流放大原理 a电流控制器件2113这个原因就是由于双极型5261晶体管是利用载流子数量不4102同来实现放大的，简单的说就是在双极型晶1653体管中由于参杂有大量的载流子，所以大量的载流子出现使得电流实现了放大，因此属于电流控制器件。电压控制元件是单极型的晶体管，即场效应管。
