半桥逆变电路和全桥逆变电路电是怎么走的 工作原理 请带图帮我解答一下 1、半桥逆变电路的等效电路：向左转|向右转2、半桥逆变电路的工作原理：上图中，A、B分别为两个半桥中点，uAB是它们之间的电压，R是等效电阻，L为扼流电感，LC构成串联谐振电路，将uAB的方波输入转变为C两端的近似正弦波，完成了逆变过程。3、典型电子日光灯电路中的应用：向左转|向右转图中L2、C6、RLA，就是半桥逆变电路，灯管等效电阻是由灯管电压和灯管电流决定。左侧电路将直流电转换成方波（为了顺利起振和持续振荡，电路比较复杂），由高频变压器提供半桥中点，由C7、C8组成无源半桥中点，实现了由直流到交流的逆变
什么是无伴电流源 无伴电流源：无电阻与之并联的电流源。无伴电流源：无电阻与之并联的电流源。电流源的内阻相对负载阻抗很大，负载阻抗波动不会改变电流大小。在电流源回路中串联电阻无意义。
什么是垂直导电结构，在MOS管中的知识 为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
