双极型晶体管如何输入输出电流？
双极型晶体管 电流从C到E 三极管不是简单两个pn结和在一起，既不能看做两个二极管串联因为三极管必须要满足两条件：1.E区（发射结）高参杂，B区（基区）低参杂；2.B区 要作的很薄；对npn管 电流形成过程（放大状态时）如下：1）首先 E区 加正偏电压（即Ube>；0)E区电子扩散到B区（因为有浓度差 电子 向着浓度低的方向扩散，而正偏电压又促进了这扩散）；所以Ie就全是 E区过来的电子形成2）同时原本在B区的也有少数空穴移动到了E区，但是很小（因为B区参杂浓度很低）；从E 到达 B区 的电子只有少量与B中空穴复合（因为B区做的很薄）这少量 复合 的电子和空穴 不断形成移动的“空位”B中电子会填补这些“空位”然后又留下新的“空位”。这就是 空穴移动也就形成了相对较小的电流；这两部分很小的电流之和 就形成了Ib3）大部分从 E 区到达 B 区 又没有复合的电子继续向 C 运动（因为 C 是反偏电压 Ucb>；0 产生电场这个电场 把B中大部分没复合的从E过来的电子拉了过去）；同时B区 本来就有少量电子（很少，而且这部分电子的数量 正好等于从B跑到E的少数空穴数量）也在反偏电压作用下 移动到了 C区；这两部分电流加起来 就是 Ic总结：Ie（E中电子到B形成）；Ib（B中到E的一部分少量空穴+。
简述双极型晶体管电流放大原理
双极型晶体管是不是电流控件？ 要看输入阻抗 阻抗很大接近绝缘一班就属压控元件 这个元件阻抗是变阻抗 有雪崩现象 应该属特殊元件
双极晶体管的电流输运图 我建议你首先最好去看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版，P29-30页，这部分告诉你三极管放大的基本原理，最好多读几遍，然后想一想。晶体管的放大基本上是这样：1、条件：发射结正偏，集电结反偏。三极管的特殊结构：基区最薄，浓度最低，发射区浓度最高，集电区面积最大。2、工作过程：（以你的PNP型为例）（1）发射结正偏（发射极电压>；基极电压，电场方向从发射极指向基极，空穴带正电，在此受电场力作用，会向基极移动），发射结中的空穴在电场力作用下，向基区移动，很快越过发射结到达基区；这部分也就形成了发射极电流（2）基区很薄，且浓度很低，这样大量的空穴无法与电子复合（没有那么多电子，复合的这部分，形成了基极电流），再加上基区薄，绝大部分空穴一直可以运动到集电结边缘。（3）集电结反偏（基极电压>；集电极，电场方向从基极指向集电极），这样空穴在电场力作用下，会继续越过集电结，到达集电极，并在那里与电子复合（复合的这部分形成了集电极电流）。所以你可以看出来，这里的电流规律就是，发射极电流=基极电流+集电极电流。3、几个影响因素：（1）发射极的浓度，决定了发射载流子能力，只有载流子发射得越多，放大倍数才可能越高。
双极型晶体管放大器的电流怎么流？ 这个是标准的共射RC耦合放大电路 Rc是集电极负载电Rb是偏置电阻电流由集电极流向发射极
简述双极型晶体管电流放大原理 简单的说：管子工作前题是BE结加正向电压BC结加反向电压，然后1.发射区向基区扩散电子，2.电子在基区边界扩散与复合，空穴由外电源补充，维持电流。3.电子被集电极收集。改变基极电流就可以改变集电极电流：IC=BIB
双极晶体管的工作原理 NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。扩展资料双极型三极管不能直接代替MOS管，这是因为它们的控制特性不一MOS管是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。场效应管的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接代换场效应管的，原驱动MOS管的电路由于驱动电流太小，不e5a48de588b6e799bee5baa6e79fa5e9819331333431366331。
