材料对光的吸收强弱能反映禁带宽度吗 吸收光谱最强位置的波长（nm），转化为能量单位电子福特即可（eV）如果题主懒得算，给你个简单的公式：1240/波长=禁带宽度（eV）先将uv-vis图谱转换为ahv^2 vs hv曲线，其中a是alpha，吸收系数。然后你会看到图大概是先转个弯，然后有一段近似线性。然后你将线性部分作切线，它与x轴的交点就是带隙。UV-VIS是测材料的透射，反射和吸收的仪器，通过测出的透射或者吸收谱就能拟合出该材料的禁带宽度。而荧光光谱是电致发光光谱，常用来看缺陷。PL光谱是光致发光，是通过一定波长的光来激发材料，使其光致发光，原理是形成的光生电子和空穴
半导体发光材料 峰值波长吗？
光致发光和电致发光测波长为什么结果会不同 这是由于半导体能带结构和跃迁方式不同的关系.光致发光是吸收光子、通过直接跃迁将电子推向高能态；电致发光是通过电场驱动使电子跃迁到高能态，这里一般需要声子的帮助，电子进入较高能量的导带底状态.如果是间接能隙半导体，则复合时释放出的能量不同，所以发光波长不同.
