IGBT管与场效应管的区别及用途？ IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。专业名字为绝缘栅双极型功率管。通俗点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率可以做的很大。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声e799bee5baa6e997aee7ad94e78988e69d8331333337613233小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管场效应管与晶体管有什么不一样？
三极管与MOS管有什么区别 1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是。
模电题目，场效应管组成复合管问题，求大神解答，谢谢~ (b)图中左、右侧分别是BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管），它们分别属于电流控制电流器件和电压控制电流器件，BJT工作是由基极电流Ib控制集电极电流Ic。图中BJT的发射极与MOSFET的栅极连接，Ib没有通路（即Ib=0），所以不能构成复合管；(e)图中两只JFET（结型场效应管）左管的源极与右管的栅极相接连接，左管的漏极电流Id1没有通路因而不能工作。
场效应管和功率管有什么区别？ 在电路末端放大电流电压以带动负载的晶体管叫功率管，一般来说pcm大于一瓦的叫大功率，小于一瓦的叫小功率。包括三极管，场效应管，二极管等。场效应管也是功率管的一种
晶体管和场效应管以及开关管，mos管有什么区别？ 电力晶体管GTR是目前各种全控型器件中运用比较广泛的一种。它一般都是做成达林顿复合管的形势出现。它是电流型驱动，工作频率不高，一般在1~2KHz（但GTR虽然工作在最大耗散。
双极晶体管、晶闸管、绝缘栅双极晶体管、场效应管元件的图形符号 找了半天找不到图形符号
三级管和场效应管的区别？
