变频器问题 8、C 转矩补偿,是为补偿因电动机定子绕组电阻所引起的低速时转矩降低,而把低频率范围V/f增大的方法。设定为自动时,可使加速时的电压自动提升以补偿起动转矩,使电动机。什么是IGBT?它的作用是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极2113型晶5261体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的4102复合全控型电压驱动式功率半导体1653器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。扩展资料:IGBT模块介绍:IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管。它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高。IGBT是什么元件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT属于什么控制型软件 软件?IGBT是硬件,绝缘栅型双极晶体管。IGBT属于()控制型元件。A、电流 B、电压 C、电阻 D、频率 参考答案:BIGBT器件是如何工作的? IGBT主要结构就是PN结,通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使IGBT 关断。
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