半导体 什么是直接禁带材料 间接禁带物质？砷化镓属于直接禁带材料 可用于制造发光二极管 但不知道其定义 谁能给出或者给出相关资料我自己查阅 半导体（semiconductor）指。
为什么同族的半导体，原子序数越小禁带宽度越大？ 5.1.4 Wavelength Engineering ？www.tf.uni-kiel.de 3.讨论 a.你说得这个规律对于常见的化合物半导体（II-VI族，III-V族等）来说粗略地存在，是因为有元素周期律的存在。。
半导体的平均电离能和禁带宽度的区别 你这个问题与本征激发的机理有关。禁带宽度是指利用热激发产生载流子—热电离所需要的平均能量；在室温下，平均热运动能量kT约为0.026eV，但也可以有少量的电子从价带跃迁到导带、而产生出本征载流子。而强电场引起的碰撞电离或者其他粒子激发的电离，所需要的能量就要高于禁带宽度；因为产生出来的电子、空穴还具有一定的动能和动量，则能量和动量守恒的要求，就使得电离能至少要比禁带宽度大一倍半多。这是粗略的估计，仔细分析的确并不简单。价电子是不能在整个晶体中运动的，则不能导电；只有变成为导带的自由电子之后，即已经摆脱了原子实的束缚、并离开了它所属的的原子实以后，才可在整个晶体中运动。关于本征激发概念，若感兴趣的话，可参见“http：//blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
研究硅的能带在什么晶体方向？初学半导体，请问不同方向有不同的禁带宽度，在掺杂研究中是哪个方向？
硅的禁带宽度是多少？ 1.16ev
硅的禁带宽度是多少？对应多少波长
si和金刚石同为共价晶体，为什么一个是半导体，一个是绝缘体 导电性怎么样，主要看价电子需要多少能量脱离原子的束缚，也即导带低和价带顶的能量差（禁带宽度）。这个能量越小，导电性越强。金刚石的这个能量比硅大，也即禁带宽度更大。
禁带宽度与温度的关系？ 禁带宽度与温度有什么关系？如何定性解释？禁带宽度与温度有什么关系？如何定性解释？不考虑相变的话温度的作用仅仅在于改变原子间距离。温度越高，原子距离越大，周期势场。
能带理论中的每一能带中的能级是连续的吗？ 1，旧的量子论中，量子化条件说明了微观粒子只能存在于某些不连续的状态。电子当然也不例外，原子中电子的能量只能是某些分立的值。某个能量状态定义为一个能级。电子能量，角动量等等的运动状态用轨道来表示。例如2p表示主量子数为2(体现能量大小)，角动量量子数为1(体现角动量大小)的轨道。2，能量越低，体系越稳定，所以原子中的电子总是尽量往低能级的轨道排。按照泡利不相容原理，每个轨道上的电子数都有限制。总得来说，基态的原子其核外电子排布都是按照不相容原理，能量从低到高依次排列。例如硅原子核外电子排布为1s22s22p63s23p2，其中前10个电子一般背原子核紧紧束缚，外围4个电子性质比较活跃，收到激发能跃迁到更高能级，或者电离。另外，由于3p轨道最多可以排布6个电子，所以实际上硅原子中最外层还有剩余4个状态未被电子填满。3，当原子组成晶体时，由于原子周期性的排布，随着原子增多，原先分立的电子能级会变得越来越密集，最后变成一条条看准连续(很密集的能级，实际上不连续)的能级结构，称为能带。晶体中外层原子一般是共用的，称为价电子，这些电子的能量状态只能存在于这些能带之中。4，晶体中的能带一般是带状的，在带与带之间有时会空出很。
半导体物理中，能带宽度与禁带宽度的区别是什么？ 能带宽度为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。禁带宽度为导带和价带的间距。
