哪位朋友说一下甲基硅烷的性状，越详细越好 哪位朋友说一下甲基硅烷的性状，越详细越好 分子式：CH3SiH3 性质：熔点-157℃，沸点-57℃，相对密度0.62。在碱水作用下，分子内。
易溶于水的气体有哪些 密度比水大的有哪些 密度比水小的有哪些 密度比空气大的 密度比空气小的
多晶硅生产中对人体危害有多大？ 硅本身没有毒和放射性。但是加工过程使用很多有毒物质和强电磁辐射的机器。沉积法制备光伏级多晶硅薄膜。一般以高纯硅烷或三氯硅烷为气源，采用化学沉积、物理沉积和液向。
半导体外延生长有哪些方式？ 外延(Epitaxy，简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也可以是异质外延层(SiGe/Si 或SiC/Si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(MBE)，超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)，常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。本文仅介绍广泛应用于半导体集成电路生产中衬底为硅材料的硅(Si)和锗硅(SiGe)外延工艺。根据生长方法可以将外延工艺分为两大类(表1)：全外延(Blanket Epi)和选择性外延(Selective Epi，简称SEG)。工艺气体中常用三种含硅气体源：硅烷(SiH4)，二氯硅烷(SiH2Cl2，简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl3，简称TCS)；某些特殊外延工艺中还要用到含Ge和C的气体锗烷(GeH4)和甲基硅烷(SiH3CH3)；选择性外延工艺中还需要用到刻蚀性气体氯化氢(HCl)，反应中的载气一般选用氢气(H2)。外延选择性的实现一般通过调节外延沉积和原位(in-situ)刻蚀的相对速率大小来实现，所用气体一般为含氯(Cl)的硅源气体DCS，利用反应中Cl原子在硅表面的吸附小于氧化物或者氮化物来实现外延生长的选择性；由于SiH4不含Cl原子而且活化能低，一般仅应用于低温全外延工艺；而另外一种常用硅源TCS蒸气压低，在常温下呈液态，需要通过H2鼓。
醇能和什么反应 醇羟基中氢的反应由于醇羟基中的氢具有一定的活性，因此醇可以和金属钠反应，氢氧键断裂，形成醇钠（CH3CH2ONa）和放出氢气。由于在液相中，水的酸性比醇强，所以醇与金属。
两个有机化学问题
有机硅浆渣中的高沸物怎么分离，用什么设备？急需，谢谢 （a）高温裂解法。高温裂解法是在300-900℃ 高温条件下，使高沸物中的Si-Si键断裂，得硅烷单体。此法优点是对原料要求宽松，不需要除去高沸物中的一些固体杂质〈这些杂质有。
化工方面的 产品名称：甲基硅酸产品类别：有机硅防水剂类产品型号：25kg/包价 格：￥17000元产品简述：白色或微黄色粉粒状固体 倍半氧含量：35—60产品详细描述：主要用于生产有机硅建筑防水剂，也可与其它助剂混合作为防水保温材料填充剂，堵漏剂，也可直接作防水型材。甲基含氢硅油性质：无色透明油状物，黏度一般为(1～5)×10-2Pa·s，相对密度0.98～1.10，折射率1.390～1.410，氢含量0.8％～1.4％。在醇碱作用下，Si-H键断裂，放出氢气。在铂催化剂作用下，S-H键可与链烯烃进行加成反应。当温度大于50℃时，可与含环氧基的化合物反应，具有良好的成膜性能。可由甲基二氯硅烷和三甲基氯硅烷共水解缩合来制取。用作防水处理剂，也可用作橡胶和塑料工业的脱模剂、纸张和包装材料的防粘剂。乙基含氢硅油性质：无色透明油状物，黏度一般为1～5×10-2pa·s。相对密度0.98～1.10。折射率1.390～1.420，氢含量0.8％～1.2％。在醇碱作用下，Si—H键断裂，放出氢气。在铂催化剂作用下，Si—H键可与链烯烃进行加成反应。在有机金属化合物存在下，可交联成膜，具有优良的憎水防潮性能。可由乙基二氯硅烷和三乙基氯硅烷共水解缩合来制取。广泛用于纺织、皮革、陶瓷、玻璃和建材的。
三甲基氯硅烷破了 加催化量的dmap，最好不要加热，控制低一点温度，反应不完全也是正常的
醇能跟钠反应吗，产物有哪些，会不会产生氢气 共2 醇羟基氢反应 由于醇羟基氢具定性醇金属钠反应氢氧键断裂形醇钠（CH3CH2ONa）放氢气 由于液相水酸性比醇强所醇与金属钠反应没水金属钠反应强烈若醇钠放入水醇钠。
