三极管有放大作用，为什么要发射区参杂浓度高，基区宽度薄，集电结结面积要大？ 放大系数表达了IE转化为ICN的能力，一般能达到0.98以上。为了达到0.98须使IB足够小，IB=IEP+IBN-ICBO。基区宽度薄且掺杂浓度低，电子与空穴复合机会少，使得IBN和IEP很小，大多数电子都能扩散到集电结边界，集电结面积大更容易收集电子，增大IE到ICN的转化率。硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。发射区掺杂浓度高可以提高三极管导电性。
什么晶体管发射区的重掺杂效应？ 这是BJT的发射区因为重掺杂所带来的一种不良现象。（1）带隙变窄效应的产生机理：因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，。
晶体管内部工作条件对各区掺杂浓度的要求是什么？为什么？ 为了保证常规的Si双极型晶体管（BJT）具有放大作用，它的发射区必须高掺杂（1019～1020/cm3，高于基区两个数量级或者更多）；集电区（外延层）掺杂浓度一般较低，需要考虑耐压，一般为1015～1016/cm3。各区掺杂浓度的选取，是BJT设计中的一个重要内容。
导致大电流双极晶体管电流增益下降的原因分为几种，各为什么？什么是发射区重掺杂效应？ 导致大电流双极晶体管电流增益下降的原因分为：大注入效应和基区扩展效应。发射区重掺杂效应：当发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。原因为：发射区禁带变窄和俄歇复合增强。
什么是晶体管发射区重参杂效应 就是在原本纯净的晶体管材料中添加大量的某种金属或非金属材料 来改变半导体材料的导电特性满意请采纳
导致大电流双极晶体管电流增益下降的原因分为几种，各为什么？什么是发射区重掺杂效应？ 导致大电流双极晶体管电流增益下降的原因分为：大注入效应和基区扩展效应。发射区重掺杂效应：当发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不。
为什么晶体管的发射区掺杂浓度大？ 晶体管的电流放大系数等于发射结注入效率与基区输运系数的乘积。。这些需要从晶体管原理来理解，若感兴趣的话，可参见“http：//blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
晶体管具有放大作用，其外部条件和内部条件各为什么 内部条件基区：较薄，掺杂浓度低.发射区：掺杂浓度高（多子载流子浓度高）.集电区：面积较大（利于少子漂移）.外部条件发射结加正向偏置电压，使其正向导通.集电结加反向偏置电压，使其反向截止.
