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交叉耦合mos管的负电阻 在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬间上电时候?该如何理解呢

2020-10-04知识14

信号通过变压器耦合 变压器两端的mos管双二极管电阻起什么作用 让其通过电流减小,使其产生感应电流,希望可以帮到你,恒牛吧?

交叉耦合mos管的负电阻 在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬间上电时候?该如何理解呢

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开关电源变压器初级绕组两端并联一个电阻和电容的串联!什么作用?如果不用,MOS的Vds有个很大的尖峰,这个尖峰是由于漏感造成的,漏感的能量不能耦合到次级,那么MOS关断。

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开关电源的mos管的G极电阻有什么用? 这个电阻影响G极电流,即其大小影响MOS管开关速度。同时,此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。再具体的,你可以查下MOS管驱动电路的资料

MOS管可以应用哪几个方面呢?

MOS管的作用有哪些? 场效应管的作用 1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗。

mos场效应管p型和n型如何区分? MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。场效应管简介场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。特点与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的。

在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为电源瞬间上电时候保护MOS的寄生电感。该如何理解这句话? mos管如果G端悬空的话,会使mos管导通,造成mos管因电流过大而烧毁,加电阻的作用是拉地电阻,起到限流的作用,防止其悬空导通烧毁!MOS管是一个ESD敏感元件,本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以很容易受外界或者静电影响而带电,容易引起静电击穿。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。栅源间的过电压保护:如果栅源间的阻抗过高,则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲,这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏,如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗,在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管,特别要注意防止栅极开路工作。

MOS管可以双向流通电流,反向时电流是流过沟道还是体二极管 MOS管导通后,反向时主要是流过沟道,因为体二极管本身有比较大的二极管压降,约为0.7V,沟道相当于把体二极管给短路了。

在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬间上电时候?该如何理解呢 源极与栅极之间电阻很大,他们之间会有一定的电容量(二极管也有叫PN节电容,所以高频信号时要考虑到PN节电容),并上电阻之后,当信号由大电压变小时他们之间通过电阻放电,当信号电压由小到大变时就不会与极间电容的电压叠加(因为极间电容的电已经通过电阻放掉了),信号电压就不足于击穿,起到保护作用

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