直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
晶格参数与晶格常数是不是一样的。
哪位大哥大姐知道闪锌矿型ZnO的晶格常数、空间坐标以及带隙的参数啊 你可以直接用MS软件自己算下，里面带了模型的，可以显示你要的参数
晶格常数如何影响禁带宽度？
晶格参数与晶格常数是不是一样的。 晶格2113参数与晶格常数是一样的。5261晶格常数（英语：4102lattice constant），或称晶格参数（英语：lattice parameter），是指晶格中晶胞的物1653理尺寸。晶格常数（或称之为点阵常数）指的就是晶胞的边长，也就是每一个平行六面体单元的边长，它是晶体结构的一个重要基本参数。扩展资料晶格匹配：匹配两个不同半导体材料之间的晶格结构，使带隙变化可形成在材料中没有引入晶体结构改变的一个区域。这允许建设先进的发光二极管和激光二极管。例如，砷化镓，砷化铝镓砷化铝，并有几乎相等的晶格常数，使得它可以几乎任意一层一层的生长。格的分级：通常，在以前的电影或衬底上生长的薄膜的不同材料的选择匹配现有层常数的晶格来减小薄膜应力。另一种方法是通过控制改变等级的合金比在薄膜生长期间从一个值到另一个晶格常数。分级层的开始会有一个比匹配的基础晶格和在层生长结束合金将比赛所需的最终格下面的层被沉积。合金中的变化率必须通过称量层应变确定的刑罚，因此，缺陷密度，对外延工具的时间成本。例如，磷化铟镓层的带隙1.9eV以上可以在砷化镓晶片生长指数分级。参考资料：-晶格参数
什么是光子晶体结构
材料成型及控制工程专业学生，考研方向 材料成型及控制工程专业学生考研有四个方向，介绍如下：1、材料成型及控制工程专业考研方向1：材料物理与化学专业介绍：材料物理与化学专业（学科代码：080501）是物理、。
t2g eg 具体是什么意思？ 如果是分子，这个就是过渡金属原子在正八面体晶体场中其5重简并的D轨道分裂为3重简并和2重简并的能级图。T2G，E2G是Oh群不可约表示的标志，表明轨道的对称性，同时也说明。
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不。
为什么硅不能做光器件？什么叫做直接带隙？什么叫做间接带隙？
