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表面态 缺陷态 什么是半导体的表面态和表面能级

2020-10-04知识8

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表面态的发展与现状 表面态是固体自由表面或固体间接口附近局部性的电子能态。由于固体表面原子结构不同于体内原子结构,使得表面能级既不同于固体体能带,也不同于孤立原子能级。半导体表面通常位于基本禁带e799bee5baa6e997aee7ad94e78988e69d8331333361303133中或禁带边缘附近,电子波函数在表面向内、向外都是衰减的。塔姆(Tamm)态的概念最早是在1932年提出的。塔姆指出由于表面处晶格突然中断形成一阶跃势垒来描述一维半无限晶体中电子行为,且在真空区(Z0)仍具有布洛赫波性质。而且晶体布洛赫波函数与指数衰减波函数在表面处(Z=0)必须满足波函数及其一阶导数连续的条件,基于此条件解出能量表达式。当k取复数对应向体内方向衰减的定域在表面的电子态即塔姆态。1935年Maue利用准自由电子(N.F.E)模型,用傅里叶级数展开晶体势函数,取波函数及其一阶导数在表面处连续的条件,证明波势k取复数时在晶带中有表面态存在条件。1939年消克莱(Shockley)考虑具有两个终端的一维有限链晶体的电子态。并根据原子间距大小提出表面态存在条件。Shockley的研究表明,只有较低态是S态时才产生表面态(Shockley态)。它是由表面原子出现悬挂键而产生的本征表面态。1939年戈德温利。

半导体的表面态和表面能级

什么是类施主态和类受主态,与施主态和受主态有何区别? 谢邀。首先表示以前听过类施主态和类受主态。因此在楼主邀请过后特地去看了一下。粗略地表达一下自己的看…

什么是半导体的表面态和表面能级?形成表面态的原因有哪些?表面态及表面能级对半导体的导电性能有哪些影响?

表面态的分类 1)按来源分:本征表面态:清洁表面(可存在再构 弛豫等)的表面态非本征表面态:外来因素(如存在杂质原子、吸附物、晶格缺陷等)引入的表面态2)按电子占据情况分满态:已被电子占据的表面态空态:未被电子占据的表面态3)按带电类型分类施主表面态:电子占据呈中性 不被电子占据带正电类受主表面态:不被电子占据呈电中性 电子占据带负电4)按与晶体体内交换载流子的时间常数分快表面态:与体内快速交换载流子 弛豫时间慢表面态:与体内缓慢交换载流子 弛豫时间1ms-100s5)按能级位置分束缚表面态:能级在体内禁带之中表面共振态:能级与体内允许带部分或全部重合 且波函数与体内波函数产生共振

什么是半导体的表面态和表面能级 —半导体表面态主要有两种:(1)固有(本征)表面态:晶格中断→表面产生悬挂键→具有束缚电子的作用~表面态.(2)非本征表面态:杂质或者缺陷产生的价键→表面态.因为表面态是电子的一种束缚状态,所以,在能带图上,表面态上电子所对应的能量—能级,就称为表面能级.表面态也可以是空穴的束缚状态.表面态对于半导体性能的影响,主要表现为起复合中心作用,降低少数载流子寿命.

高凝血状态是什么原因? 1、单核吞噬细胞系统功能受损2、肝功能严重障碍3、血液的高凝状态:1、孕妇 2、酸中毒4、微循环障碍:血液黏滞度升高

表面态的表面态的形成

产生电子表面态的根本原因是什么 当一块半导体突然被中止时,表面理想的周期性晶格发生中断,从而导致禁带中出现电子态(能级),该电子态称为表面态(Tamm state)。表面态的形成1)理想、清洁半导体表面:理想表面产生表面能级(表面态)的原因是塔姆(Tamm)首先提出的,他认为晶体的周期性势场在表面处发生中断引起了附加能级.因此,这种表面能级称为塔姆表面能级或塔姆能级(Tamm Level).塔姆曾计算了半无限克龙尼克–潘纳模型情形,证明在一定条件下每个表面原子在禁带中对应一个表面能级.上述结论可推广到三维情形,可以证明,在三维晶体中,仍是每个表面原子对应禁带中一个表面能级,这些表面能级组成表面能带.因单位面积上的原子数约为,故单位面积上的表面态数也具有相同的数量级.表面态的概念还可以从化学键的方面来说明.以硅晶体为例,因晶格在表面处突然终止,在表面的最外层的每个硅原子将有一个未配对的电子,即有一个未饱和的键.这个键称为悬挂键,与之对应的电子能态就是表面态.因每平方厘米表面约有个原子,故相应的悬挂键数也应为约个.表面态的存在是肖克莱等首先从实验上发现的.以后有人在超真空对洁净硅表面进行测量,证实表面态密度与上述理论结果相符。2)实际表面:在表面处还存在由于晶体缺陷或。

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