请从多角度分析均匀成核与非均匀成核的区别 一、相同点：1）都是一个2113相变过程52612）临界晶核半径相同3）需一定的过冷4102度1653和过饱和度二、不同点：1）定义，即体系中的空间各点出现晶芽的概率区别2）吉布斯自由能变化的大小3）形成功大小4）成核概率5）基底影响6）核形状
何谓均匀成核，何谓不均匀成核 晶核的生成有三种形式：2113即初级均相成5261核、初级非均相成4102核及二次成核。在高过饱和度下，溶液自发地生成1653晶核的过程，称为初级均相成核；溶液在外来物（如大气中的微尘）的诱导下生成晶核的过程，称为初级非均相成核；而在含有溶质晶体的溶液中的成核过程，称为二次成核。二次成核也属于非均相成核过程，它是在晶体之间或晶体与其他固体（器壁、搅拌器等）碰撞时所产生的微小晶粒的诱导下发生的。
哪些因素会影响金属材料结晶时的非均匀形核率。 非均匀形核2113的形核率，除主要受过冷度的影响5261外，还受液体4102内悬浮着的固体质点的性质、数量、形貌及其1653物理因素的影响。a.过冷度影响：由于非均匀形核的形核功小于均匀形核的形核功，即非均匀形核所需要的能量起伏比均匀形核小得多，故凝固时的过冷度远低于均匀形核需要的过冷度。b.固体杂质的影响：相同过冷度下均匀形核和非均匀形核半径完全一样，但在曲率半径相等的条件下，非均匀形核时所需要的晶胚体积与表面积要小得多，且随θ角的减少而减少，润湿角θ是判断固体杂质或界面是否能促进晶胚成核及其促进程度的关键。θ角大小主要取决于液体、晶核和固体杂质之间比表面能的相对大小。c.固体杂质表面形貌的影响：杂质表面的形貌各种各样，有凹凸面，有的是深孔。在这些基面上形核有不同的形核率。因此，凹面容易形核。d.物理性能的影响：液相宏观流动会增加形核率，施加电场或磁场也能增加形核率。这是因为液体金属中已凝固的核心(小晶体)由于受到冲击振动而碎裂成几个核心，或是模壁附近产生的晶核被冲刷走。此效果称为晶核的机械增值。由于受到机械的作用，而使核心提前形成。你可以参考下材料科学基础
成核的均匀与非均匀 所谓成核就是指新相在旧相中开始形成时，并非在亚稳系统的全部体积内同时发生，而是在旧相中的某些位置产生小范围的新相，在新相和旧相之间有比较清晰的界面将它们分开。这种在旧相中诞生小体积新相的现象就是成核。一次成核是指系统中不含有结晶物质时的成核。如果成核是自发产生的，而不是靠外来的质点或基底的诱发，这样的成核就是均匀成核。相反，如果成核是靠外来的质点或基底的诱发而产生的，这样的成核就叫做非均匀成核。有时，晶核可以在系统中已经存在的晶体附近产生，这种在有晶体存在的条件下的成核现象叫做二次成核。均匀成核是指不考虑外来质点或表面存在的影响，在一个体系中各个地方成核的概率均相等。在平衡条件下，任一瞬间，由于热涨落，体系某些局部区域总有偏离平衡的密度祈福，这时质点（原子或分子）可能一时聚集起来成为新相的原子团簇（晶核），另一瞬间这些团簇又拆散恢复原来的状况。如体系处于过饱和或过冷的亚稳态，则这种起伏过程的总趋势是促使旧相向新相过渡。形成的核可能稳定存在而成为核心。当从母相中产生临界晶核以后，它并不是稳定的晶核，而必须从母相中将原子或分子一个一个迁移到临界晶核表面，并逐个加到晶核上，使其生长。
为什么说非自发形核比自发形核容易 1）非均匀形核与固体杂质接触，减少了 表面自由能 的增加；2）非均匀形核的晶核体积小，形核功小，形核所需结构起伏和能量起伏就小；形核容易，临界过冷度小；。
晶体长大条件： 晶体长大条件是过饱和、过冷却状态的出现。晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；③生长阶段。在某种介质体系中，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶。体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子。这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击。或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上。这种形成结晶微粒子的作用称之为成核作用。介质体系内的质点同时进入不稳定状态形成新相，称为均匀成核作用。在体系内的某些局部小区首先形成新相的核，称为不均匀成核作用。均匀成核是指在一个体系内，各处的成核几率相等，这要克服相当大的表面能位垒，即需要相当大的过冷却度才能成核。扩展资料布拉维法则阐明了晶面发育的基本规律。但由于当时晶体中质点的具体排列尚属未知，布拉维所依据的仅是由抽象的结点所组成的空间格子，而非真实的晶体结构。因此，在某些情况下可能会与实际情况产生一些偏离。1937年美国结晶学家唐内—哈克(Donnay－Harker)进一步考虑了晶体构造中周期性平移。
