下列抑制性突触后电位产生过程的描述，哪个是不正确的A．突触小泡释放递质，并与突触后膜
生理学论述题：试述抑制性突触后电位的产生过程。 抑制性突触后电位产生过程如下：抑制性神经元兴奋，神经末梢释放抑制性递质，后者经过扩散与突触后膜受体结合，从而使后膜对K、Cl，尤其是Cl的通透性提高，膜电位增大而出现超极化，即抑制性突触后电位(IPSP)。它可降低后膜的兴奋性，阻止突触后神经元发生扩布性兴奋，因而呈现抑制效应。
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是： D出现超极化
下列抑制性突触后电位产生过程的描述，哪个是不正确的A．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合B．
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。A.是局部去极化电位 B.具有\ 参考答案：C
下列对兴奋性突触后电位的叙述，正确的是A.突触前神经元释放抑制性递质B.突触后膜主要对Ca通透性增加C.突触后膜产生局部去极化D.主要使突触后膜Cl内流增加E.？
