晶界处碳偏聚的测量，有什么方法，用俄歇电子能谱 ，只能测量端口处晶界处元素的偏距吗，求大神解答。 俄歇电子在固体中运行也要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃，因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。所以不论是端口还是断口，俄歇电子能谱只能考察固体的表面层。望采纳
为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法，且空间分辨率高？ 大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度。能够保持特征能量（没有。
俄歇电子能谱的基本原理
俄歇电子能谱图与光电子能谱图的表示方法有何不同？为什么？ 两个产生光子的机理不同 俄歇效应 是原子的内层电子跃迁产生的 当用高能电子撞击原子内层电子时，原子的内层电子瞬间得到极高的能量 就会摆脱原子核的束缚 这样就会靠近原子的轨道形成电子的空缺 为了使整个原子保持.
俄歇电子能谱图与光电子能谱图的表示方法有何不同？为什么？ 问题请自行回答。我是西南科技大学的张宝述，我已经封锁了所有的答案，请保持独立思考问题。谢谢。
能谱分析的原理是什么呢？ 俄歇电子能谱分析是通过检测试样表面受电子或X射线激发后射出的俄歇电子的能量分布来进行表面分析的方法，写作AES。是电子能谱分析技术之一。其原理是：用具有一定能量的。
