二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处 二次电子主要显示形貌衬度，背散射同时还可以表现成分衬度，但形貌衬度表现的不如二次电子.背向电子源的不能被接收，所以分辨能力稍差
二次电子像的衬度和背散射电子像的衬度有何特点 仅供参考背散射电子像zd的衬度要比二次电子像的衬度大，二次电子一般用于形貌分析，背散射电子一般用于区别不同的相。二次电子像：1）凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大。2）平面上的二次电子产额较小，亮度较低。3）在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，使其不易被控制到，因此相应衬度专也较暗。背散射电子像：1）用背散射电子进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子像低。2）背散射电子能量高，以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此，其图象衬度很强，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。因此，背散射电子形貌分析效果远不属及二次电子，故一般不用背散射电子信号。
背散射电子能获得与二次电子同级别分辨率的图像吗？ 应该不可以吧，两种电子的能量不同，导致两种电子的波长不同，这是决定分辨率的一个因素，另外估计背散射的电子束的平行度应该也要差一些，这也会降低分辨率。以上只是个人主观认为的，实际的我也不清楚，没拍过。
二次电子像背散射电子像和吸收电子像的特点和用途
二次电子像和背散射电子像的区别 背散2113射电子是发射电子被样品弹性碰撞弹回来的5261，所以原子序4102数大的原子越大，弹性碰撞的概率越1653大，所以原子序数大的背散射电子强度的大；二次电子是从样品表面发射的电子，跟原子序数没关系，跟样品的表面形态有关，因为撞击角度90度是二次电子基
二次电子像和背散射电子像在显示表面形貌衬度时有何相同与不同之处？
