IGBT工作原理
如何选mos管 如何正确选择MOS管1.是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，。
IGBT管算三极管吗？ 广义的讲，IGBT也可以说是三极管，是一种特殊的三极管。1.IGBT的基本结构：绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。。
什么是垂直导电结构，在MOS管中的知识 为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。
电阻值计算 随电流增加，R2上电压在增加，这个最大电压应该是电源电压（加0.8V）取中值此时是输出最大电压（考虑管压降，电阻压降这个输出电压是不可能达到的），也就是半电压除RD阻值。
电子管功放和晶体管功放的区别 导读：声频的发展在60年代就已经开始，电子管之类的音箱设备主导着音频的发展，但是由于各种原因，电子管不足以满足社会的需要，在一段时间内，电子管处于即将下架的趋势，不过，电子管随着时代和科技的进步又在70年代以后继续发展起来，受到当时很多人的青睐，甚至被看作一种身份的象征。下面小编带你比较一下电子管功放和晶体管功放。一、工作特点和电路结构：晶体管放大器的工作条件是同时存在低的电压和大的电流，晶体管功放的电压不能超过一定的数值，电流可以达到数十安。晶体管功放的电路结构是直耦式的设计，没有变压器电路的输出设计。电子管放大器的工作条件是高的电压和低的电流。电子管功放的电压值很高可以达到500V，而电流值相对来说却很低。二、音质方面：电子管功放的声音音质比晶体管功放的声音音质优越，晶体管功放在低频的声音听起来感觉较少，而只有在中高频和高频的身音在感觉上听起来才比较高，晶体管功放所发出的声音硬起来感觉比较生硬，尤其是在低频的时候没有柔和的感觉，反而在高频和中高频感觉却比较尖锐刺耳，听起来感觉声音都发生变形，没有声音本身的感觉。当高频率和高音量同时发生时，这样的感觉现象就愈加明显。晶体管功放的特点表现在它。
场效应管总是击穿，栅极和源极，栅极电压最大值才5.34V，是栅极电压高的原因吗？怎么防止击穿啊。。。
场效应管的命名和标示方法 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。两种命名方法：第一种。
功率MOSFET的开关损耗计算方式是什么；开关损耗的主要参数是什么？
电子管6p1的参数 6P1，旁热式阴极束射四极管主要用途：低频功率放大(基本数据)灯丝电压(Uf)=6.3V；灯丝电流(If)=0.5A；阳极电压（Ua）=250V；阳极电流（Ia）=44±11mA；第二栅极电压（Ug2）=250V。
