截线法求禁带宽度 晶体中的晶体缺陷有哪些

PN结的单向导电性是什么？ PN结正偏时导通，呈现很小2113的电阻，形成较大的正5261向电流；PN结反偏时截止，呈现4102很大的电阻，反向电1653流近似为零。通常的说法是在不加外电压时，这个PN结中P区的多子是空穴，N区的多子是电子（通常只考虑多子），因为浓度差，载流子必然向浓度低的方向扩散。在扩散前，P区与N区的正负电荷是相等的，呈电中性。当P区空穴向N区移动时，就在PN结边界处留下了不能移动的负离子，用带蓝圈的负电荷表示；当N区自由电子向P区移动时，就在PN结边界处留下了不能移动的正离子，用带红圈的正电荷表示，这样就在空间电荷区内产生了一个内建电场Upn，电场的方向是由N区指向P区的。在扩散作用下随着Upn增大，载流子受到电场力Upn的作用而做漂移运动，它的方向与扩散运动相反，最终使载流子扩散与漂移达到动态平衡，形成了空间电荷区，如图3所示。当外加正向偏压时，电源E提供大量的空穴和电子，E的电场方向与Upn的电场方向相反，空间电荷区被两种载流子复合而消弱变窄，载流子容易通过扩散加强，呈现低阻状态。当外加反向偏压时，它的电场方向与Upn的电场方向一致，空间电荷区被增厚变宽，载流子不易通过扩散减弱，呈现高阻状态。此时仅有两侧的少子，也就是N区的空穴和P。如何测量半导体纳米材料的价带与导带 测量禁带宽度方法 1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值 λg(nm)，利用公式 Eg=1240/λg(eV)计算禁带宽度。方法 2：利用(Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。方法 3：利用(αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。α(Absorption Coefficient)即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α 与 A 成正比。一般有两种方法：1、紫外-可见光谱测量材料的吸收边和带隙；资料有很多。2、电化学方法（循环伏安法）测定带隙、HOMO/LUMO能级；Ref：Adv.Mater.2011，23，2367–2371http：//www.big-bit.com/news/LED的工作原理与基本结构是什么？ 当一个正向偏压施加于PN结两端，由于PN结势垒的降低，P区的正电荷将向N区扩散，N区的电子也向P区扩散，同时在两个区域形成非平衡电荷的积累.对于一个真实的PN结型器件，通常P区。通过电化学方法怎么计算价带和导带位置 测量禁带宽度 1：利用紫外见漫反射测量吸光度与波数据作图利用截线做吸收波阈值 λg(nm)利用公式 Eg=1240/λg(eV)计算禁带宽度 2：利用(Ahν)2 hν 做图利用直线部外推至横。在测量pn结正向压降和温度的变化关系时，温度高时△v-t线性好，还是温度低好 低温好，高温影响测量结果PN结正向压降与温度关系的研究从二十世纪六十年代起开始发展的PN结传感器具有灵敏度高、线性好、热响应快和体小轻巧等特点，尤其在温度数字化、温度控制以及微机进行温度实时讯号处理等方面有很强的相对优势。常用的温度传感器有热电偶、测温电阻器和热敏电阻等，它们根据各自的特点分别适用于不同的场合。本实验是为介绍PN结温度传感器的工作原理而设置的，是集电学和热学为一体的综合性实验。一、实验目的1了解PN结的正向压降随温度变化的基本关系。2测绘恒流时PN结的正向压降随温度变化的关系曲线，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。3学习用PN结测温的方法。二、实验原理1．PN结现代技术是和半导体的应用分不开的，常用半导体材料有硅和锗。硅和锗是4价元素，当在硅或锗中掺入5价元素如磷、砷的原子时，半导体中的自由电子数大大超过缺少电子的空穴数，这种半导体就称为电子型半导体，也叫N型半导体；当在硅或锗中掺入3价元素如铝、铟的原子时，半导体中的空穴数大大超过电子数，这种半导体就称为空穴型半导体，也叫P型半导体。如果在一块半导体的两部分分别掺以3价。

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