sram存储器是静态只读存储器 静态随机存储器 动态只读存储器还是动态随机存储器啊？
随机存储器实验 6116是2K*8位静态随机存储器芯片高三位接地 因为试验范围只是256，只需A0-A7即2^8就行，多的接地。
常见存储器一般分为哪两个类型？ 既然是半导体话题下那我假设你问的只是半导体存储器啊…硬要分三类的话就SRAM、DRAM、ROM吧…大类上半导体存储器一般分为两类：挥发式（易失式）和非挥发式（非易失式）。挥发式指的是断电后数据会全部丢失的存储器，非挥发式则是与之相对，断电后数据不会丢失。然后挥发式现在主要是两类：SRAM和DRAM。RAM指的是随机访问存储器（Random Access Memory），意思是相对于磁带磁盘这些需要先让读写头到达对应位置才能读取指定数据的存储器，它可以即时读取任意位置的数据。SRAM是静态随机访问存储器（Static Random Access Memory），可以用触发器锁存器之类的方式实现，当然最常用的是6管SRAM单元。它的特点是只要没有断电数据可以一直保存下去，不会丢失，读写速度快，但是面积、功耗较大。常见于CPU缓存。DRAM是动态随机访问存储器（Dynamic Random Access Memory），用电容来存储信息，写入时打开开光将电容充电/放电到指定电位然后关闭开关，读取时打开开关读取电容电位。由于电容会缓慢漏电，所以DRAM必须定时重新读取/写入原有数据，否则时间一长数据就会丢失，所以叫“动态”。优点是面积极小，相对SRAM便宜很多。常见于内存。硬盘啊软盘啊光盘全都属于非挥发式存储器，。
静态存储器与动态存储器的定义是什么？ 静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。扩展资料：动态存储器的工作原理动态RAM是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。在3管动态RAM电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。写操作时，写选择线为\"1\"，Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时，Q3处于可导通的状态。若原来存有\"1\"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电。此时读得的信息为\"0\"，正好和原存信息相反。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反，所以要通过读出放大器进行反向再送往数据总线。
静态随机存储器实验实验报告 最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：cherishzyjclr大学实验（实训）报告实验静态随机存储器实验2.1.实验目的掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。2.2.实验内容给存储器的00H、01H、02H、03H、04H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H，再依次读出数据。2.3.实验设备TDN-CM+计算机组成原理教学实验系统一台，排线若干。2.4.实验原理实验所用的静态存储器由一片6116（2K×8bit）构成（位于MEM单元），如图2-1所示。6116有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如下图，当片选有效（CS=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS常接地。图2-1SRAM6116引脚图由于存储器最终挂接到CPU上，所以还需要一个读写控制逻辑，使得CPU能控制MEM的读写，实验中的读写控制逻辑如图2-2所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出。IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。图2-2读写控制逻辑实验原理如图2-3所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8个LED灯显示D7…D0的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED灯显示A7…A0的内容，地址由地址。
静态随机存储实验中地址寄存器用的什么器件 TS3 相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟，其中 SW—B 为 低电平有效，LDAR 为高电平有效。2．实验步骤（1）在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”，将“STOP”开关置为“RUN”状态，将
静态随机存储器实验中为什么我proteus仿真时不能进行读写操作。用的是6116 245和273。电路图接错了么？ 你这是用开关，手动实现读写操作吗？这是实验要求的吗？你这所谓的实验，就是画仿真图呀？不是用实物做呀？仿真做实验，那些发光二极管，每一个都必须串联一个限流电阻，不要怕麻烦。因为不串电阻，就影响数据线，地址线只有低电平而没有高电平。
最低0.27元开通文库会员，查看完整内容>；原发布者：张若菲zxx实验项目实验目的实验设备静态随机存储器实验实验时间2015-11-14掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。PC机一台，TD-CMA实验系统一套实验所用的静态存储器由一片6116（2K×8bit）构成（位于MEM单元），如图2-1-1SRAM6116引脚图所示。6116有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如表2-1-1所示，当片选有效（CS=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS常接地。实验原理图2-1-1SRAM6116引脚图由于存储器（MEM）最终是要挂接到CPU上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得e79fa5e98193e58685e5aeb931333433623830CPU能控制MEM的读写，实验中的读写控制逻辑如图2-1-2所示，由于T3的参与，可以保证MEM的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出（时序单元的介绍见附录2）。IOM用来选择是对I/O还是对MEM进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。图2-1-2读写控制逻辑实验原理图如图2-1-3所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8个LED灯显示D7？D0的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED灯显示A7？A0的内容，地址由实（74LS273，位于PC&AR单元）给出。数据。
高分！计算机组成原理的静态随机存储器实验问题求助！！！！！ 不太清楚
