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晶体长大速度最快的是 冷却度对晶体长大方式速度有何影响

2020-10-03知识10

判断正误:金属的结晶速度越快晶粒越细小 为什么?

晶体长大速度最快的是 冷却度对晶体长大方式速度有何影响

两个问题,1,金属结晶的基本规律是什么?2,晶核的形核率和生长速率受哪些因素影响 金属结晶的基本规律是什么?答:纯金属的结晶规律是:在恒定温度下进行,结晶时要放出潜热,需要过冷度,结晶的过程是晶核产生和晶核不断长大的过程.晶核的形核率和生长速率受哪些因素影响:答:形核的影响因素:1)形.

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晶体的生长

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为什么结晶速率与晶体大小有关 1、浆料的过饱和度,这个主要由温度来控制,温度越低过饱和度越低.过饱和度越大,则,产生晶核越多,结晶体粒径越小.2、停留时间,时间越长,则产生的结晶体粒径越大.停留时间与液位有关,液位越高,停留时间越强.3、容器的搅拌强度,搅拌越强,容易破碎晶体,结晶体粒径越小4、杂质成分,杂质成分较多,则比较容易形成晶核,结晶体粒径越小全部内容了,我给你分析下:冷却热饱和溶液,溶液温度下降的快,导致饱和度增加的很快,也就是过饱和度很大,所以产生晶核多,且小.自然能却溶液温度下降慢,过饱和的部分都结晶掉了,所以过饱和度不会很大,产生的晶核少,但是大.

晶体的生长速度( )晶核形成速度,则得到粗大而均匀的晶体。 晶体的生长速度慢于形成速度,则得到粗大而均匀的晶体。怎么说呢,晶体的大小取决于形核的数目和长大速度,也就是这里的生长速度,那么,就是还有两个概念是形核率(单位时间,单位体积内形成的晶核的数目,用N表示)和长大速度(晶核单位时间生长的平均线长度,用G表示),当比值N/G越大,则晶粒越细小,反过来,你懂的~再废话一句,我最近刚好复习到这里,唉,毕竟要考试了,远目~祝我好运

影响晶体生长的外部因素 晶体生长的形态主要是由晶体内部的结构决定的,因此晶体结构是决定晶体生长形态的内因,但是晶体在生长过程中所处的外界环境条件,也会对晶体的形态产生一定的影响。。

冷却度对晶体长大方式速度有何影响 冷却度对晶体长大方式和速度的影响如下:1.冷却速度越快,材料百的过冷度也会相应的增加,材料的结晶形核过程会有相应的时间滞后度性,就会造成过冷度增加。问2.随着冷却速度的增大,则晶体内形核率和长大速度都加快,加速答结晶过程的进行;3.当冷速达到一定值以后则结晶过程将减慢,因为这时原子回的扩散能力减弱。4.过冷答度增大,晶粒变细,但过冷度过大,对晶粒细化不利,结晶发生困难。

晶体生长的理论 下面介绍关于晶体生长的两种主要的理论。科塞尔(Kossel,1927)首先提出,后经斯特兰斯基(Stranski)加以发展的晶体的层生长理论亦称为科塞尔—斯特兰斯基理论。它是论述在晶核的光滑表面上生长一层原子面时,质点在界面上进入晶格座位的最佳位置是具有三面凹入角的位置(图I-2-1中k)。质点在此位置上与晶核结合成键放出的能量最大。因为每一个来自环境相的新质点在环境相与新相界面的晶格上就位时,最可能结合的位置是能量上最有利的位置,即结合成键时应该是成键数目最多,释放出能量最大的位置。图I一2—1示质点在生长中的晶体表面上所可能有的各种生长位置:k为曲折面,具有三面凹人角,是最有利的生长位置;其次是S阶梯面,具有二面凹入角的位置;最不利的生长位置是A。由此可以得出如下的结论即晶体在理想情况下生长时,先长一条行列,然后长相邻的行列。在长满一层面网后,再开始长第二层面网。晶面(最外的面网)是平行向外推移而生长的。这就是晶体的层生长理论,用它可以解释如下的一些生长现象。1)晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。2)在晶体生长的过程中,环境可能有所变化,不同时刻生成的晶体在物性(如颜色)和成分等方面可能有细微的变化,因而在晶体。

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