半导体硅掺磷后，杂质能级高还是费米能级高呢？ 磷5价元素，形成n型半导体，电子为杂质载流子，掺杂越多，此时的费米能级偏离导带和价带的中心（本征费米能级基本位于中心）靠近导带，也就是施主能级（杂质能级），此时电子更容易跨越禁带成为自由载流子.所以应该说杂质能级高于本征费米能级
关于半导体求费米能级的问题 本题思路：费米能级是具有统计学意义的物理概念，并非真实存在的能级，因此一般是已只费米能级求解载流子浓度，本题第一问求费米能级，费米能级的位置可以由下图得到，见刘恩科半导体物理。从图中可看出费米能级在禁带下方0.45eV处，Ec-Ef=1.02eV此时ED-Ef=0.974eV根据带入题目中数据可计算出电离施主的浓度
为什么半导体的逸出功比金属的小 把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位：电子伏特，eV功函数(work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。功函数：真空能级与费米能级之差。
