晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 bjt具有放大作用的外部电压条件是发射结

三极管具有放大作用外部电压条件发射结是（ ）？ 集电结是（ ）？ 三极管具有放大作用外部电压条件发射结是（正向偏置），集电结是（反向偏置）。如果对你有帮助，就请采纳我，谢谢你的支持！三极管具有电流放大作用的条件是什么？ 三极管能够2113放大信号必须具备一定的外部5261条件，即给三极管的发4102射结加正向电压（1653习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。三极管的主要应用分为两个方面。一是工作在饱和与截止状态，用作晶体管开关；二是工作在放大状态，用作放大器。IB，IC基本不随UCE变化而变化，此时发射结正偏，集电结反偏。放大状态：uB＞0，发射结正偏，集电结反偏，iC=βiB。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。扩展资料：在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量。一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的。BJT具有放大作用时的内部和外部条件分别是什么？以及主要性能指标 BJT 要实现放大作用，首先满足其内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很薄；集电结的结面要大。外部条件为发射结必须正偏，集电结必须反偏。BJT具有放大作用时的内部和外部条件分别是什么？以及主要性能指标 内部条件，发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，基区厚度要很小 外部条件，发射结要正向偏置（加正向。要使晶体三极管具有放大作用，极电结与发射结的偏置电压如何连接 三极管的放大原理以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大一般要求的工作条件：BE结正偏置，硅管一般放大时0.6-0.7V左右，实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现，CB结反偏，一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上。在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的。原理1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。4 三极管的输入输出特性三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时，基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。对硅管而言，当UCE超过1V时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大UCE，只要UBE保持不变（从。

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