能带图里的带隙与态密度图里的带隙大小不同怎么办 大家都知道LDA和GGA在计算的时候会低估带隙，正常的硅禁带宽度是1.12ev，我算出来的是0.59ev，请问这对分析能带结构会带来影响么，或者本身这就是错误的不能拿来分析？可以怎样解决这种低估问题使计算的结果和实际结果吻合？还有，计算的带隙确。Xps可以测，但你要和测试的人说，他会在带隙附件测态密度，然后你可以通过作图得到带隙宽度 学习了，支持高人！
能带结构中带隙产生的原因是什么 原因：这是由于广义梯度近似GGA这种近似方法本身缺陷造成的，它低估了激发态电子间抄的关联作用，使得计算值低于实验值，但并不影响对结果的定性分析。如果想要大点带隙，一是采用楼上说的“采用LDA+U则可达到3.4。其中U(Zn，d)＝10.5，U(O，p)＝7.0。还有要用模守衡势使用剪刀差修正带隙 剪刀差等于实验值与计算值的差 这样做出图来就好看多了，本质不变。能带理论是关于电子在周期性势场中的运动状态的理论。对于纳米材料，已经失zd去了周期性，故严格说来，谈不上有能带，也不存在能隙概念。但是对于纳米材料，可以讨论电子的量子能级概念。根据测不准关系，随着尺寸的缩小，电子的动量和能量的变化范围增大，这就意味着能级间距变宽。
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不。
如何分析能带结构图、态密度图，及相关的性质的基础分析？ 本人物理学本科在校生一枚，在实验室跟着老师做建模，在没有任何基础的情况下，老师只是只说让看文献看文…
如何看懂能带图？ 能带结构是目前采用第一性原理（从头abinitio）计算所得到的常用信息，可用来结合解释金属、半导体和绝缘…
直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
