为什么硅不能做光器件？什么叫做直接带隙？什么叫做间接带隙？ 半导体物理 半导体物理 科技商业化工程师，Girasol Energy Inc.创始人。请阅读《激光原理》。另，硅发光的研究很早就取得突破了。。为什么硅不能做光器件？。
直接带隙和间接带隙有什么区别 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
PbS直接带隙半导体还是间接带隙半导体？ 直接带隙，0.4eV
直接带隙和间接带隙有什么区别 一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。
直接带隙和间接带隙有什么区别？ 有个链接很好，想详细了解操作细节的可以点这里Ref【1】http：//www. physics.smu.edu/scalise /P5337fa11/notes/ch07/chapter7.pdf 关于Brillouin Zone，其实直观上的理解就是。
直接带隙和间接带隙有什么区别呢？ 一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多
如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？ 确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本。
直接带隙和间接带隙有什么区别 材料电特性同：直接带隙需要吸收能量间接带隙仅要吸收能量要改变量电能量值布同：直接带隙同位置间接带隙同位置
直接带隙和间接带隙的区别 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
