氮化镓的熔点 。GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃
砷化镓在高温（高于砷化镓的熔点的温度下）加热后会产生有毒气体吗？ GaAs.黑灰色固体，熔点 1238℃.在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀.砷化镓在熔点以上会缓慢分解成砷和镓，砷熔点仅有615℃，因此砷为蒸汽，剧毒。砷在空气中的最高容许浓度为0.0003mg/L.空气中加热.
相比碳化硅基氮化镓及砷化镓，硅基氮化镓半导体材料前景如何？ 硅基氮化镓半导体材料相比碳化硅基氮化镓及砷化镓，在实际案例中，目前还没有被广泛应用，但是因为性能优异，所以以后有望普及。例如相比碳化硅基的氮化镓，硅基的氮化镓比碳化硅基的氮化镓在线性度上有不同的显现，可对基站的复杂信号进行数字调制。在产能上，碳化硅基由于材料特性，不支持大的晶圆，而硅基氮化镓材料支持大晶圆的特性，有利于电路的扩展和集成，未来有可能在相关领域取代碳化硅基。另外相比砷化镓，氮化镓拥有高一些的饱和功率，所以当作低噪声放大器使用时，适合雷达等应用领域，可以省略掉限幅器，限幅器的主要作用就是防止高功率干扰信号对放大器带来损失。所以简化的系统噪声系数会好于砷化镓，除此之外混频器等应用中，更好的动态范围也比砷化镓合适。综合以上所述，从某些方面来说，硅基氮化镓半导体材料有一定优异性，未来有望被广泛应用。
钨丝熔点很高，而氮化镓熔点低，为啥LED节能，而钨丝不节能？ 这倒是个很有意思的问题，不知出于何种考虑，题主把节能和材料的熔点扯到了一起。不过，硬是要把二者联系在一块儿的话，我也可以直接回答，正因为钨丝熔点高所以才费电。大家知道白炽灯是美国大发明家爱迪生于1879年发明的。但他当时是用碳化材料制作灯丝，寿命只有几百小时。后经大家不断改进终于在1906年由美国人库利奇选择了熔点高的钨丝做灯丝，才有了现代意义的白炽灯泡。由于钨丝可以耐受更高的温度，所以提高了亮度和寿命，但这种靠发热来发光的模式效率很低，造成了电能的巨大浪费。你看，正是钨丝的高熔点成就了白炽灯，是不是熔点越高越费电呢。但发光二极管就不一样了，所用材料不仅仅有氮化镓，而且根据不同颜色的需求还有砷化镓、磷化镓、铝磷化镓、碳化硅等多种材料。但不管用何种材料，其正常工作温度一般都不会超过100oC，连水的沸点都够不上更谈不上熔点有什么影响了。因为发光二极管是利用PN结电子和空穴复合释放出的能量来发光的，说通俗点就是直接把电转化为光，和发热一点关系都没有。产生热量只是转化效率还不够高的表现，如果将来发光二极管的光效能接近100%，自然也就不会发热了。而钨丝灯泡的发热是发光的前提和条件，所以费电是必然的。以上是我的。
为什么不同颜色的发光二极管工作电压不同 发光二极管成为 LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。。波长为远至近的紫外线 http：//baike.baidu.com/view/84213.htm 其他回答(2)
氮化镓不同压力下的熔点 有气体2113参与的话，把气体如5261果当成理想气体克拉博隆-克劳休斯方程ln(p/p0)=-Δ4102Hm/R(1/Tb-1/T0b）（1）这个式子是通1653过原来的Clapeyron方程dp/dT=ΔH/(T*ΔV)（2）得来的，用Clapeyron方程还可以算熔点加上理想气体方程PV=nRT（3）得出 Clausius-Clapeyron方程是Clapeyron方程基于一下两个条件得出的：1.两相平衡中必有一相是气相2.气体可以作为理想气体Clapeyron方程的绝对正确性比较不容易理解。Clapeyron方程的绝对正确从本质上来说是建立在化学反应动力学Arrhnius经验公式k=Aexp（-Ea/RT）正确的基础上。自己理解，可能经不起推敲定积分之得：lnk(T2)-lnk(T1)=Ea/R(1/T1-1/T2)将一物质两相看作是反应的原料与产物，才得出Clapeyron方程。而这个Arrhnius经验公式其实不是这个这个，还需要修正：lnk=-E/RT+mlnT+lnA具体怎么修正参见物理化学动力学2部分所以说Clapeyron方程是去掉修正项的Arrhnius经验公式做的近似Clausius-Clapeyron方程是把气体当作理想气体的又一步近似虽然说经过两次近似，但是在宏观上，这两个方程是经过了实验的推敲的，还是比较准的。在有气体的情况下，Clausius-Clapeyron方程是可以作为估算饱和蒸汽压与温度关系的手段的。。
在第三代氮化镓芯片时代，中国可以后来者居上吗？ 好多小伙伴都没有听说过氮化镓，更不用说氮化镓芯片了。而且，氮化镓是第三代芯片，是不是觉得不可思议呢？那么，芯片经历的三代芯片是什么呢？第一代，硅芯片第二代 砷化镓芯片第三代 氮化镓芯片这三代芯片，本文为大家科普一下，让大家有个大致的了解。一．硅芯片硅芯片是大家极为熟悉的芯片了。我们以前使用的电脑，手机的芯片绝大多数都是硅芯片。不过，硅芯片虽然使用得较为广泛。但是，它的极限大约是5纳米级别，如果想容纳更多的元器件在有限的空间内，硅芯片似乎走到了极致。我们不得不说，硅芯片对人类的巨大贡献，是它开辟了微电脑时代，智能手机时代。那么是不是硅芯片就做不了7纳米以下的芯片了呢？现在给出定论还为时过早。二．砷化镓芯片砷化镓属于人造半导体材料，并且，砷化镓是原子晶体。这样，它具有良好的半导体性能外，砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。据报道砷化镓像硅一样容易使用，芯片运算的速度至少是硅片的2至3倍。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料。三.氮化镓芯片氮化镓芯片，小米首先应用在快充上了。实际上，氮化镓具有更好的导电性GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微。
芯片最小能做到多少纳米，达到极限后，该如何突破瓶颈？ 目前，手机处理器是7nm，台积电即将量产5nm芯片，未来还有3nm、2nm，甚至1nm。根据台积电研发负责人在谈论半导体工艺极限问题时，认为到了2050年，晶体管可以达到氢原子尺度，即0.1nm，那么半导体工艺的“物理极限”是什么呢？制程工艺 首先，我们了解一下芯片的制程工艺。华为的麒麟990处理器，指甲壳大小，集成了上百亿的晶体管，单个晶体管的结构如下图所示▼。在晶体管中，电流是从源极（Source）流向漏极（Drain），而栅极（Gate）相当于闸门，主要负责两端源极和漏极的通断。通代表1，断代表0，这样就实现了计算机世界的0、1运算。栅极的宽度，也称为删长，就是所说的xx nm制程工艺。通常来说，制程工艺越小，晶体管删长越小，电流通过时的损耗越少，表现出来就是手机常见的发热和功耗。同时，单位面积的芯片可以容纳更多的晶体管。因此，晶圆代工厂不断的升级技术，力求将栅极宽度做的越来越窄。然而，工艺的提升会受到光刻机技术、芯片“物理极限”等多方面因素的限制。如何突破技术限制？①更换材料。目前，芯片采用的是硅基半导体结构，根据台积电的规划，今年实现5nm工艺，2022年实现3nm工艺，2024年实现2nm工艺，正在逼近1nm。2017年，IBM科研团队在实验室环境下。
