如何区别low-e中空玻璃与普通镀膜中空玻璃 哇塞，看来会用CTRL+c的人物好多呀～我来简单回答一下吧～（非专业，日常经验）首先，Low-e玻璃与热反射镀膜玻璃同为镀膜玻璃，工艺不同而已。在中空玻璃中，区分是否是镀膜还是普通白色玻璃，一是看玻璃所反射的颜色，镀膜玻璃发射率大一些；若同为高透型，可以用打火机火焰测试，看发射出来的4个影响是否有一个与其他3个不同，若不同，为镀膜玻璃。区分low-e中空玻璃与普通镀膜中空玻璃呢，方法不多，还有局限性。通常意义上直接观察，热反射的发射率较大，若为遮阳型LOW-E，用下面方法。譬如，可以看在边框附近是否存在除膜的痕迹（因为第一道密封胶丁基胶与low-e膜会有反应，所以在边部要做除膜处理），而丁基胶与膜边反应颜色俗称“金边”或者“蓝边”，大约2-3mm左右，边部颜色不同与膜的种类不同有关。但是，上面这种方法只能区别离线LOW-E玻璃与普通热反射镀膜，因为在线玻璃的生产工艺决定其无需进行除膜保护。（所以在线的便宜呀～就是后期服务得忍一忍）至于检测玻璃性能的机构～我觉得你是想维护自己公司的权益吧！个人意见是你首先要玻璃生产厂家提供国家可靠机构出具的《检测报告》—这个报告需要检测内容与你所购买的产品型号相符。若自己去做检测。
掺锡氧化铟的制备方法有哪些 中国稀有金属网：1、低电压溅射制备掺锡氧化铟薄膜由于掺锡氧化铟薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备掺锡氧化铟薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使掺锡氧化铟薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了掺锡氧化铟薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积掺锡氧化铟薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的掺锡氧化铟薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了掺锡氧化铟薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。2、两种在直流磁控溅射制备掺锡氧化铟薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径：a、磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低掺锡氧化铟薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来。
ITO导电玻璃的导电原理是什么？
氧化铟锡的介绍？ 氧化铟锡(ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物(In2O3)and锡（IV族）氧化物(SnO2)的混合物，通常质量比为90%In2O3，10%SnO2。它在薄膜状时，透明，略显茶色。在块状态时，它呈黄偏灰色。
