氮化硅（Si3N4）是一种新型陶瓷材料的主要成分，能承受高温，可用于制造业、航天。 本题考查利用化合物的概念来判断物质是否为化合物，抓住化合物中至少两种元素，且只有一种物质组成．
（2005？杭州）氮化硅（Si3N4）是一种新型陶瓷材料的主要成分，能承受高温，。 C
氮化硅是原子晶体吗？ 氮化硅，分子式为Si3N4，是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。
氮化硅是绝缘体还是半导体？？ 氮化硅材料 放眼未来，着手现在，描绘概念，踏实现在 。氮化硅是绝缘体还是半导体？氮化硅材料 查看问题描述 ？ 1 姬润 氮化硅是导电导体 展开阅读全文 ？ 。
各种陶瓷的作用 陶瓷(Ceranics)的传统概念是指所有以粘土等无机非金属矿物为原料的人工工业产品。它包括由粘土或含有粘土的混合物经混炼，成形，煅烧而制成的各种制品。。
氮化硅（Si
氮化硅（Si （1）氮的化合价降低，所以反应氧化剂是N2，3SiO2（s）+6C（s）+2N2（g）？Si3N4（s）+6CO（g），每转移1mol eˉ放出132.6kJ的热量，化学方程式中电子转移12mol，放热1591.2KJ，故答案为：N2，-1591.2 kJ/mol；（2）A．焦炭的质量不再变化，说明正逆反应速率相等，达平衡状态，故A正确；B．只要反应发生，N2 和CO速率之比就为1：3，所以不一定平衡，故B错误；C．生成6molCO等效于生成1mol Si3N4同时消耗1mol Si3N4，正逆反应速率相等，达平衡状态，故C正确；D．混合气体的密度不再变化，说明气体的质量不变反应达平衡状态，故D正确；故选：ACD；（3）A．升高温度，平衡逆向移动，故不选；B．降低压强，平衡正向移动，故选；C．加入更多的SiO2，平衡不移动，故不选；D．充入N2，平衡正向移动，故选；故选：BD；（4）温度太低，反应速率太低；该反应是放热反应，温度太高，不利于反应向右进行，所以该反应的温度控制在1300-1700°C，故答案为：温度太低，反应速率太低；该反应是放热反应，温度太高，不利于反应向右进行；（5）在2L的密闭容器中，测得该反应中N2和CO各个时刻的物质的量，分析数据结合反应速率概念，v（N2）=4mol/L-3.26mol/L20min=0.037mol/L？min；3SiO2（s）+。
氮化硅是绝缘体还是半导体？？
氮化硅（Si （1）Si的化合价前后未变，N的化合价由0降为-3，C的化合价由0升为+2，生成1个Si3N4化合价降低12，生成1个CO化合价升高2，根据化合价升降总数相等以及质量守恒得，3SiO2+6C+2N2 高温.Si3N4+6CO，故答案为：3、6、2、1、6；（2）所含元素化合价降低的反应物是氧化剂，氧化剂被还原得到的生成物是还原产物，所以N2是氧化剂，Si3N4是还原产物．故答案为：N2；Si3N4；（3）依据化学反应方程式，3SiO2+6C+2N2高温Si3N4+6CO，△H=QkJ/mol，反应物为气体的是氮气，生成物为气体的是一氧化碳，气体为止为 固体，依据平衡常数概念写出的平衡常数表达式为：K=c6(CO)c2(N2)，故答案为：K=c6(CO)c2(N2)；（4）已知上述反应为放热反应，△H＜0，所以Q＜0，对于放热反应，升高温度，K会减小；故答案为：小于；减小；（5）化学反应是气体体积增大的放热反应，增大压强平衡向气体体积减小的方向进行，反应逆向进行；故答案为：逆；（6）①降低温度，反应速率减小，故错误；②将SiO2粉碎，增大故体表面积，反应速率加快，故正确；③增大焦炭用量不会改变化学反应速率，故错误；④转移出CO，会减慢反应速率，故错误．故选②；（7）已知平衡时CO生成速率为v（CO）=18mol？L-1？min-1，则N2的生成。
