新型无机非金属材料有那些？
晶体的基本类型有几种 这个问题解答起来有点麻烦，因为有不同的分类方法。如果按功能分，晶体有20种之多，如半导体晶体、磁光晶体、激光晶体、电光晶体、声光晶体、非线性光学晶体、压电晶体、。
我做过实验，火确实可以使电路导通.火为什么可以导电？火的成份是什么？实际情况就是，通过实验，火的确可以导电
现在西方国家，对中国实行的有哪些著名的科技封锁？目前中国有何突破和进展？ 比如近期价格上涨严重，中国两家企业先后测试失败的DRAM内存，以及更上游的晶硅制造等
半导体材料的特性？ 半导2113体材料的特性：半导体材料5261是室温下导电4102性介于导电材料和绝缘材料之间1653的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。扩展资料：。
求纳米气敏传感器研究进展？？ 纳米气敏传感器研究进展1引言纳米技术是研究尺寸在01～100nm的物质组成体系的运动规律和相互作用以及可能的实际应用中的技术问题的科学技术［1］。纳米技术的发展，不仅为。
半导体有什么特性
金属锑的性质 元素名称锑(antimony)的拉丁2113名称stibium和元素符号Sb均来自辉锑矿的英文5261名stibnite。这个词的原意4102是“反对僧侣”，据1653说在古代西方国家的一些僧侣中，曾有许多人患有癞病，他们试图服用含锑的辉锑矿来治疗。可是许多服用辉锑矿的僧侣不但没有恢复健康，反而病情恶化，一个个地死去。元素描述锑在地壳中的含量为0.0001%，主要以单质或辉锑矿、方锑矿、锑华和锑赭石的形式存在，目前已知的含锑矿物多达120种。锑质坚而脆，容易粉碎，有光泽，无延性和展性。锑具有黄锑、灰锑、黑锑三种同素异形体。金属锑呈银白色，性脆，有独特的热缩冷胀性。无定形锑呈灰色，可由卤化锑电解制得。锑有两种同素异形体：黄色变体仅在-90℃以下才稳定；金属变体是锑的稳定形式。2070℃时锑蒸汽为单原子分子。金属锑不是一种活泼性很强的元素，它仅在赤热时与水反应放出氢气，在室温中不会被空气氧化，但能与氟、氯、溴化合；加热时才能与碘和其他百金属化合。锑易溶于热硝酸，形成水合的氧化锑。能与热硫反应，生成硫酸锑。锑在高温时可与氧反应，生成三氧化二锑，为两性氧化物，难溶于水，但溶于酸和碱；可与浓硝酸反应。性质元素原子量：121.8原子序数：51元素。
半导体是如何工作的？ PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样，下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程，进而介绍它的工作原理。1、发射区向基区发射电子电源接通后，发射结为正向连接。在正向电场作用下，发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区，形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低，与从发射区来的电子流相比，IEP可以忽略不计，所以发射极电流为：2、电子在基区中的扩散与复合从发射区扩散到基区的电子到达基区后，由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中，电子有可能与基区的空六相遇而复合，基极电源、EB不断提供空穴，这就形成了基极电流IBN。由于基区很薄，而空穴浓度低，电子与空穴复合的机会很少，大部分电子继续向集电区扩散。此外，半导体三极管工作时，集电结为反向连接，在反向电场作用下，基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要。
