求高效逆变电源设计？？ 摘要：本文简述了PWM控制芯片SG和高压驱动器IR2110的性能和结构特点，同时详细介绍了采用以SG为核心器件的高频逆变电源设计。关键词：PWM；SG；IR2110；。
IR2153芯片工作原理是什么？ IR2153 是一种高压、高速、带有高低端驱 动的半桥驱动器.该器件前级可调振荡器的功 能与大家熟知的555 时基电路相似.驱动器的 输出带有缓冲单元，可设定内部死区时间，防止 桥路中的两只功率开关管直通.高、低端管子 具有延时匹配，适用于占空比为50%的场合，该器件可驱动N 沟道功率MOSFET 或IGBT.IR2153 具有以下特点：●带自举二极管的浮动设计，最大耐压为 600V；允许瞬时负压；欠压保护；内部振荡器频率可调整；高、低通道匹配的死区时间；起动电流很小，仅为90μA；高、低通道的关断功能；低通道输出电压波形与RT 端电压波形相同.
IR2113S怎么没有中文版的数据手册啊？ 虽然我的英文也不好，但是搞我们这行，看英文资料还是必须的.建议装个翻译软件帮助一下.IR2113S，2110S 作为专用的自举半桥驱动电路，做电机控制的人都知道.
IMP3520D是什么芯片，性能怎样？ IMP3520d是日银IMP最近研制的荧光灯电子镇流器控制器和半桥驱动器单片ic。该新型器件的主要特点是含有自适应零电压开关(zvs)和波峰因数(即峰值电流与平均电流之比值)过电流。
IR2110的自举电路是什么作用，不自举可以吗，直接将Vs接地 不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。一般约10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.
