MOSFET自举驱动是什么意思？
自举电容Bootstrap capacitor如何理解 先给电容充电，充好了，靠电容两端的电压来给外部用电器供电。等到电压低到一定程度，再继续给电容充电。
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MOSFET 自举驱动 是什么意思 一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路，包括：开通回路、放电回路、加速回路、MOS管、第九电阻、第十一电阻；所述加速回路有第二电阻与第一电容。
单片机驱动MOSFET电路。。 要看你是用在什么场合，如果半桥的话可以用IR2010，含自举电路，需要可以找我，我这里有相关资料，应该适合你。
自举电路是如何“顶”电压的？ 当交流电是正半周时，电流通过二极管给电容充电，直到峰值，当峰值过后、电容上的电荷无法随电网释放掉，当负半周来临时，电容的被充上负电的极板上又被充上了正电，这样和另外极板上的的电压相加，（像两个电池串联，电流方向一致）就会有一个2倍于单波峰值的电压加在用电器上，
自举电路的放电过程 如图，这是当开关断开(三极管截止)时的等效电路。当开关断开(三极管截止)时，由于电感的电流 保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电，电容两端电压升高，此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。说起来升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。如果电容量足够大，那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。如果这个通断的过程不断重复，就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。P 沟道高端栅极驱动器直接式驱动器：适用于最大输入电压小于器件的栅-源极击穿电压。开放式收集器：方法简单，但是不适用于直接驱动高速电路中的MOSFET。电平转换驱动器：适用于高速应用，能够与常见PWM 控制器无缝式工作。N 沟道高端栅极驱动器直接式驱动器：MOSFET最简单的高端应用，由PWM 控制器或以地为基准的驱动器直接驱动，但它必须满足下面两个条件：VCC，max and Vdc，miller浮动电源栅极驱动器：独立电源的成本影响是很显著的；光耦合器相对昂贵，而且带宽有限，对噪声敏感。变压器耦合式驱动器：在不确定的周期。
谁可以解释一下下图MOSFET驱动电路，毕业设计要用到 左边的PWM5、PWM6是驱动脉冲发生电路，产生驱动mosfet所需要的波形，紧接着的是两个光耦，一般用于隔离控制部分和驱动部分，因为需要驱动的mosfet一般电压都比数字逻辑部分要高，通常的数字逻辑电路电压在5V以内，而mosfet驱动部分基本都在10V以上（一般mosfet的开启电压需要在10V以上才能完全导通，完全导通时导通电阻低，导通损耗就小）然后是去耦电路部分。接下来是两输出mosfet/IGBT专用驱动芯片IR2110S，其中电容C23是根据IR2110S的Datasheet需要接的。R40/R41是mosfet栅极驱动电阻，用于调节栅极导通关断时间，减小mosfet被噪声击穿的可能。C26、D14是自举升压电路，用于驱动高压侧mosfet。C27是去耦电容，这个0.01uf应该是给比较高的频率用的，一般的电路0.1uf就够了，推荐瓷片或钽电容，因为电感小。
