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四氯化硅高温下氧气氧化 氮化硅(Si

2020-10-02知识6

氮化硅(Si (1)3SiCl 4+4NH 3 Si 3 N 4+12HCl(2)Ri 3 N 4+6H 2 O 3SiO 2+4NH 3↑Si 3 N 4+3O 2 3SiO 2+2N 2(3)Si 3 N 4 与MgO在密闭容器中热处理后,在Si 3 N 4 固体表面形成了一层SiO 2 保护层,阻止了Si 3 N 4 受空气中的氧气和水的侵蚀。解析:(1)SiCl 4 与NH 3 反应生成Si 3 N 4 的同时有HCl生成。反应的化学方程式为3SiCl 4+4NH 3 Si 3 N 4+12HCl。(2)由于Si—O键比Si—N键牢固,Si 3 N 4 与H 2 O反应时,Si—N键要向Si—O键转化,生成SiO 2 的同时应该有NH 3 生成。同样Si 3 N 4 与O 2 反应时,应生成SiO 2 和N 2。化学反应方程式为:Si 3 N 4+6H 2 O 3SiO 2+4NH 3↑;Si 3 N 4+3O 2 3SiO 2+2N 2。(3)Si 3 N 4 与MgO在密闭容器中热处理后使Si 3 N 4 固体表面形成一层SiO 2 保护膜,阻止了Si 3 N 4 继续受空气中的氧和水的侵蚀。

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电解熔融三氧化二铝有没有离子方程式 有的话请写出来 三氧化二铝不存在离子方程式,因为这个化合物里只存原子.在但是有电解方程式的.2Al2O3=(通电)2Al+3O2↑

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四氯化硅与氢气反应 SiCl4+2H2=高温=Si+4HCl这是粗硅提纯的最后一步。步骤:1、用焦炭与石英砂(SiO2)混合高温,产生粗硅。(SiO2+2C=高温=Si+2CO)2、将粗硅与氯气高温,生成四氯化硅。(Si+2Cl2=高温=SiCl4)3、将氢气与四氯化硅高温,生成单晶硅。(SiCl4+2H2=高温=Si+4HCl)

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高温下用氢气还原四氯化硅 若混有氧气 后果是什么 因为氢气是可燃性气体,所以与空气或氧气混合后,遇高温或明火可能爆炸

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