LED外延片的尺寸大小与芯片生产的关系？ 现在的外延片有2寸、4寸、6寸等规格，是不是外延片的尺寸越大，产出芯片的数量就越多？单位面积的外延片…
LED芯片制造工艺流程 外延片→清洗→镀透明电极2113层→透明电5261极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光4102刻→干法刻蚀→去胶→退1653火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试.1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。4、最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒，芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜。
LED芯片尺寸的区别及影响
LED外延片与芯片是什么？ 外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜，以GaN为例，在蓝宝石(Al2O3)上生长一层结构复杂的GaN薄膜（包括n-GaN，量子阱，n-GaN等），这层薄膜就叫做外延。而芯片指的是把外延进行加工，其主要目的是在外延上加上电极，以便与封装和应用。芯片的主要材料为单晶硅不正确，仍为GaN材料。可以说外延是芯片的原材料，芯片就是在外延的基础上增加了电极（有的芯片还做钝化膜，反射镜等等）
行家说说led外延片和led芯片有什么区别
LED芯片加工中外延片的比重有多少啊？ 上市公司士兰微2011年中报称：由于关键原材料LED外延片的设备不能按时安装调试投入生产，公司不得不大量对外采购，导致材料成本大幅度增加，使得其产品毛利率有较大幅度的下滑，并抑制了其芯片产能（这是士兰微最大的优势所在）的进一步释放。上半年，LED业务毛利率同比大幅下滑了13个百分点。毛利率下滑13%，意味着成本提高13%以上。那么外延片在整个芯片中占据的比重至少是大于13%的，实际上，如果提高了13%，那么假设这个比例是上游提供商的利润的话，个人理解，利润不应该超过30%，这么推论，外延片占成本13%30%43%是有可能的。
LED芯片的参数释疑 发光强度IV：发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉，mcd)作单位。LED的发光角度：-90°-+90° 光谱半宽度Δλ：它表示发光管的光谱纯度。半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。全形：根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。视角：指LED发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。半形：法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。允许功耗Pm：允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏LED芯片及器件的分选测试LED的分选有两种方法：一是以芯片为基础的测试分选，二是对封装好的LED进行测试分选。(1)芯片的测试分选LED芯片。
