超晶格材料属于什么种类的纳米材料 掺杂超晶格的优点：任何一种半导体2113材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由5261于掺杂量一般比较小，4102杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的1653异质界面；掺杂超晶格的有效能量版隙可以具有从零到位调制的基体材料能量隙之间的任何值，取决于权各分层厚度和掺杂浓度的选择。
半导体超晶格有什么基本性质？？哪位牛人可以给我解答 由两种或两种以上组分不同，或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1～10nm)材料交替地外延生长在一起所形成的多周期结构，具有这种结构的材料是一类人工改性的新的半导体材料。简史 超晶格的概念是美国国际商用机器(IBM)公司的江崎、朱兆祥在1969年提出的。他们认为，由于超品格的周期远大于原晶体的晶格常数，但又小于电子的德布洛依波长晶体中电子的运动受到超晶格周期势场的扰动，其运动状态会发生很大变化。半导体超晶格具有许多“天然晶体”所没有的新异的物理特性。理论上预计，原晶体的布里渊区会分裂为许多小区，相应的能带也会分裂为许多子能带，在外场作用下，电子易达到小布区边界而会呈现出负阻效应和高频振荡效应(布洛赫振荡)等。1971年美国贝尔(Bell)实验室的卓以和用分子束外延(MBE)方法生长出了第一个GaAs／AlGaAs半导体超晶格材料，1972年美国IBM公司的张立刚观测到分子束外延(MBE)GaAs／Al—GaAs超晶格的负阻效应，证实了理论预计。从此，半导体超晶格的研究引起了人们极大的兴趣和日益广泛的研究。20多年来，研究成的半导体超晶格已达数十种，涉及到Ⅲ-V、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅳ族元素半导体、非晶态半导体、金属、铁磁体、超导体和有机物等。
超导现象的原理是什么？为什么需要极低的温度？ 除了极低温度下出现超导现象的超导体，也有一种高于绝对零度而出现超导现象的材料。即所谓的高温超导体，具有临界温度超过90K（K为计量单位：开尔文，1K=1℃，90K=-187.15℃）的特质，如铜、氧、钙、钛、陶瓷材料等系列。麦士纳效应中的超导体超导现象是在1911年，由荷兰物理学家海克·卡末林·昂内斯发现的。在1933年时，德国物理学家瓦尔特·迈斯纳和罗伯特·奥克森菲尔德发现了超导体的完全抗磁性。超导现象是指材料在低于某一温度的情况下，电阻变为零的现象。金属导体的电阻会随着温度降低而逐渐减少。另一方面，超导体在低于其临界温度时，电阻值会骤降为零。超导体的特征就是零电阻和完全抗磁性。关于超导材料转变时比热（cv）与电阻率（ρ）变化关系的图像完全抗磁性就是当超导体处于超导状态时，超导体内部磁场为零，对磁场完全排斥。但当外部磁场大于临界值时，超导性会被破坏。超导现象可在各种不同的材料上发生，包括单纯的元素如锡和铝，各种金属合金和一些经过布涂的半导体材料。超导现象不会发生在贵金属像是金和银，也不会发生在大部分的磁性金属上。麦士纳效应中的超导体另外，超导体的分类没有标准，可以分为很多类：由物理性质分可分为：第一类和第二。
热电材料的提高优势 提升热电材料ZT值的方法一般有两种，一为提高其功率因子(S2σ)，或降低其热传导系数(κ)。影响功率因子的物理机制包括散射参数、能态密度、载子移动度及费米能级等四项。前三项一般被认为是材料的本质性质，只能依靠更好更纯的样品来改进，而实验上能控制功率因子的物理量为通过改变掺杂浓度来调整费米能级以达到最大的S2σ值。固体材料热传导系数(κ)包括了晶格热传导系数(κL)及电子热传导系数(κe)，即κ=κL+κe。热电材料之热传导大部份是通过晶格来传导。晶格热传导系数(κL)正比于样品定容比热(CV)、声速及平均自由程度等三个物理量。同样，前二个物理量是材料的本质，无法改变。而平均自由程则随材料中杂质或晶界的多寡而改变，纳米结构的块材之特征在于具有纳米层级或具有部份纳米层级的微结构，当晶粒大小减小到纳米尺寸时就会产生新的界面，此界面上的局部原子排列为短程有序，有异于一般均质晶体的长程有序状态或是玻璃物质的无序状态，因此材料的性质不再仅仅由晶格上原子间的作用来决定，而必须考虑界面的贡献。Whall和Parker首先提出二维多层膜结构。因量子井效应对热电材料传输性质的影响，多属于半导体的热电材料，若经MBE（分子束外延）或CVD。
物理各个领域的大问题有哪些？ 链接：https：// pan.baidu.com/s/1UTLHBB XBL2-Ijh_CnLr8DA mfgf 目录· 《10000个科学难题》序. 前言 导入篇 宇宙学的黄金时代 等效原理—物理学的基本原理 牛顿反。
郑有炓的学术贡献 郑有炓长期致力于半导体异质结构材料、器件及物理研究，在III 族氮化物异质结构、锗硅异质结构、和硅基纳米结构材料及其器件应用的研究上，取得系列创新成果，跻身于国际前列。郑有炓总结当时半导体所用的新技术，发展了锗硅异质结构材料光辐射加热超低压CVD生长方法，自己设计、利用南京工厂的加工条件，研制出一套计算机控制的生长设备，制备出优质锗硅异质结构材料。他紧抓住半导体科学技术发展的前沿热点，结合承担的国家863计划、攀登计划、973项目及国家自然科学基金等科研任务。带领研究生组开展一系列研究，在锗硅、Ⅲ族氮化物和氧化锌宽带隙半导体研究领域里，支撑起一片属于南大、属于中国的天地。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的新方法、新技术，从极化能带级带工程出发，创新发展了多种新器件；提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系；发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型；揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质；观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ族异质体系二维电子气研究领域；提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅。
