同轴锗锂伽马射线探测器是？ 1.同轴锗锂γ射线探测器的工作原理同轴锗锂γ射线探测器犹如一种被施加反向偏压的二极管，当γ射线入射到其耗尽层时，在γ射线轨迹的两边产生电子—空穴对，在电场的作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移。在漂移的过程中不断发生碰撞产生更多的电子—空穴对。如果陷井密度小，复合几率小，迁移率就大，载流子的寿命就长，平均行程也就长，收集率可达90%以上，输出脉冲可达极大值。电流脉冲的幅度与γ量子在耗尽层损失的能量成正比。加上反向偏压，必然产生反向漏电流。同轴Ge(Li)γ射线探测器反向漏电流I与反向偏压V的关系曲线如图4-1-5所示。2.同轴锗锂Ge(Li)γ射线探测器的能量分辨率在-199℃液态氮温度下，影响γ射线能量分辨率的主要因素是锗材料性能、反向漏电流、电子学噪声—包括电子线路及探测器封装附加电容的噪声。当探测器每厘米漂移深度上所加偏压大于1000V时，反向漏电流仍然是小于1×10-9A，漏电流对能量分辨率影响较小。锗材料不均匀，存在陷井，载流子收集不完全，这些反应在γ射线能量谱上，使光电峰低能部分加宽，并出现尾巴，光电峰高度降低，能量分辨率变差。探测器在形成输出电脉冲的过程中，电脉冲幅度存着统计涨落，即使对确定的单能粒子，。
PN结型半导体探测器是？ P型半导体空穴是多数载流子，N型半导体电子是多数载流子，在PN结中由于电子与空穴的扩散作用，形成区域电场，最后达到动平衡，呈现非导电性，称为阻挡层，区域电场方向如图4-1-3所示。如果在PN结两端加上反向偏压，即P加负，N加正，就破坏了动平衡，使漂移起主导作用。在P区使电子向N区运动，在N区使空穴向P区运动，这样就加宽了阻挡层。当漂移与扩散两种作用互相抵消，达到暂时动平衡，又呈现出非导电性，这个加厚了的阻挡层，称为耗尽层，又称作本征区。耗尽层电场方向如图4-1-4所示。当一个γ量子入射到本征区，能量并耗尽在本征区，在γ量子轨迹的两边产生电子—空穴对，在电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移。在漂移过程中不断发生碰撞，产生更多的电子—空穴对。如果陷井密度小，电子—空穴对复合几率小，迁移率就大，收集效率可达90%以上，输出的电流脉冲达到极大值，电流脉冲的幅度与γ量子在本征区耗损能量成正比。耗尽层的宽度随着外加电场的变化而变化，其公式如下：式中 W—耗尽层宽度；ε—介电常数；е—电子电荷量；V—外加反向偏压；V0—内部区域电压；NA—受主杂质浓度。由电阻率公式，求出NA：式中 ρ—材料电阻率；μ(h)—空穴迁移率。。
光电探测器PMT、APD、CCD、CMos、ICCD、EMCCD等各自的优势和劣势？ 上述几种探测器其实都有用过，也查阅过相关资料，单说几种通过查资料确实也能大致说出一些特点。但总体考…
电荷灵敏放大器是？ 半导体探测器在γ射线入射时，输出一定数量的电荷Q，Q正比于γ射线能量，如果是电压型放大器，输入电压V入＝Q/(C1+C2)，其中C1为探测器极间对地电容，C2为放大器输入电容及分布电容之和。半导体极间分布电容是随外加偏压、温度等因素的变化而变化的，如果不采取有效措施，即使电荷Q固定，V入也跟随C1的变化，从而不能得到V入与Q的正比关系。因为普通电压放大器输出脉冲时，输出电压V出不稳定，就不能得到V出与Q的正比关系。为得到V出与Q成正比关系，而又不受C1变化影响，应采用电荷灵敏放大器，电荷灵敏放大器方块图如图4-1-8所示。放大器输入端的电压幅度V入：式中 Q—探测器受γ射线照射后输出电荷；K—放大倍数；C1—探测器极间对地电容；C2—放大器输入电容及分布电容之和；CF—反馈电容。如果K＞＞1，并且（1＋K）CF＞＞C1＋C2，则V入＝Q/（KCF），V出≈－KV入＝Q/CF。在满足上述条件下，V出与Q成正比关系，而与C1无关。不管C1如何变化，V出对输入电荷的放大倍数都是恒定的。电荷灵敏放大器由此得出K＞＞1，一般情况下是几百至上千倍，并且（1＋K）CF＞＞C1＋C2，在此前提下，CF要尽可能小，此外还需保证管输入阻抗R入足够大、噪声小。图4-1-9是两个实际应用过。
PN结是什么 我来回答一种较2113为简洁的答案，满足以下三个条件5261的称为PN结：1、由4102P型和N型半导体接触而形成；16532、在它们的交界面处形成空间电荷区；3、两边呈中性区。学完半导体器件物理再结合老师讲解总结出来的，如有表述不妥之处欢迎指正。
