请问各位如何计算带隙能啊？？
请问各位如何计算带隙能啊？？ A是一常数与材料本身性质有关（直接、间接带隙），a是TiO2对不同hv（光子能量）的吸收系数 通常用分光光度计来测试
直接带隙和间接带隙是怎么回事？ 直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置，价带电子跃迁到导带不需要声子的参与，只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材料的这种只需要吸收能量的特点，它是这种跃迁类型是由它这种材料本身决定的。样品的直接带隙和间接带隙是轨道理论判断的。扩展资料直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变—满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复合)时，也可以保持动量不变—直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合(不。
Materials-studio计算带隙和光吸收的问题求助 大家都知道LDA和GGA在计算的时候会低估带隙，正常的硅禁带宽度是1.12ev，我算出来的是0.59ev，请问这对分析能带结构会带来影响么，或者本身这就是错误的不能拿来分析？可以怎样解决这种低估问题使计算的结果和实际结果吻合？还有，计算的带隙确实是低估，但是光吸收为什么还是正确的，我得到的光吸收图，硅的光吸收确实是在1.12ev之前是零，这是怎么回事？难道CASTEP计算只是低估带隙，其他的都是正确的吗？实验上测定能带结构的方法是ARPES，对应的物理过程是一种电子数目可变的带电激发过程。基于单电子近似的DFT方法并不能很好地描述这一过程，因此计算结果都比实验结果小。另外DFT计算所得到的能量本征值并不是单电子的本征值，而是K-S赝粒子的本征值，除了最高占据态的能量外其余的能量没有与之对应的物理意义。不过若是研究能带结构，也可以把它当作真正的本征值来用。要得到较准确的能带结构要用GW方法，一般来说GW方法得到的能带结构与DFT的差别主要在带隙大小，形状差别不太大。用杂化泛函可以得到较准确的带隙，能带结构不清楚。“还有，计算的带隙确实是低估，但是光吸收为什么还是正确的”光吸收对应的物理过程涉及到电子-空穴的相互作用，这个相互作用。
能带隙（band gap）可以拟合或者计算出来吗？ 除了用光学方法计算禁带宽度以外，利用密度泛函，赝势法，第一性原理等方法可以理论计算物质的能带结构的.只是理论计算往往没有实验测量的方法准确而已.具体针对如何计算可以。
带隙随温度的变化能用第一性原理计算么 试题答案：（1）A（2）温度越高，电阻越大（或电阻随温度的升高而增大）（3）0.69
能带结构中带隙产生的原因是什么
能带图里的带隙与态密度图里的带隙大小不同怎么办 大家都知道LDA和GGA在计算的时候会低估带隙，正常的硅禁带宽度是1.12ev，我算出来的是0.59ev，请问这对分析能带结构会带来影响么，或者本身这就是错误的不能拿来分析？可以怎样解决这种低估问题使计算的结果和实际结果吻合？还有，计算的带隙确。Xps可以测，但你要和测试的人说，他会在带隙附件测态密度，然后你可以通过作图得到带隙宽度 学习了，支持高人！
请问各位如何计算带隙能啊？ A是一常数与材料本身性质有关（直接、间接带隙），a是TiO2对不同hv（光子能量）的吸收系数 通常用分光光度计来测试
